### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
LR110ATM-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET，采用先進(jìn)的溝槽（Trench）技術(shù)，封裝在TO252型封裝中。該MOSFET具有較高的最大漏源電壓（VDS）為100V，適用于要求較高電壓的應(yīng)用場(chǎng)合。它的柵源電壓（VGS）范圍為±20V，開(kāi)啟電壓（Vth）為1.8V。在柵源電壓為10V時(shí)，其導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為114mΩ，支持最大漏極電流（ID）為15A。這使得LR110ATM-VB在高效開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，適合于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：
- **封裝類型**: TO252
- **極性**: N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開(kāi)啟電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)**: 溝槽（Trench）
### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊：
1. **開(kāi)關(guān)電源（SMPS）**：LR110ATM-VB的高電壓和低導(dǎo)通電阻使其在開(kāi)關(guān)電源模塊中表現(xiàn)優(yōu)異，能夠有效地提高電源轉(zhuǎn)換效率，減少能量損耗，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子產(chǎn)品和工業(yè)電源系統(tǒng)。
2. **LED驅(qū)動(dòng)電路**：該MOSFET的性能特點(diǎn)使其非常適合用于LED驅(qū)動(dòng)電路，能夠穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)高功率LED，實(shí)現(xiàn)高效的照明解決方案，尤其在戶外和商用照明中有廣泛應(yīng)用。
3. **電池管理系統(tǒng)（BMS）**：在電池管理應(yīng)用中，LR110ATM-VB能夠在充放電過(guò)程中有效控制電流，保證電池安全與效率，是電動(dòng)車和儲(chǔ)能系統(tǒng)中不可或缺的組件。
4. **電機(jī)控制**：該器件適用于各種電機(jī)控制應(yīng)用，包括無(wú)刷直流電機(jī)（BLDC）驅(qū)動(dòng)，能夠在控制電流和電壓方面提供高效能，確保電機(jī)的可靠性與穩(wěn)定性。
5. **功率開(kāi)關(guān)**：LR110ATM-VB可用作高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)，適合各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)應(yīng)用，能夠承受15A的電流，為系統(tǒng)提供安全和可靠的開(kāi)關(guān)控制。