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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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LR120-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): LR120-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### LR120-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

LR120-VB 是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為中等電壓和電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最高漏源極耐壓為100V,適合在各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用中使用。該MOSFET的閾值電壓為1.8V,具有較低的導(dǎo)通電阻(114mΩ @ VGS=10V),能夠有效降低能量損耗,提高系統(tǒng)的整體效率。采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),LR120-VB 在高頻開關(guān)條件下表現(xiàn)出色,適合用于高性能電源模塊及其他電子設(shè)備。

### LR120-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **溝道配置**: 單N溝道
- **漏源極耐壓 (VDS)**: 100V
- **柵源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)類型**: 溝槽(Trench)技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**  
LR120-VB 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中具有優(yōu)異的性能,尤其適用于中低壓應(yīng)用。由于其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,該MOSFET 能夠有效地減少功耗,從而提升整體轉(zhuǎn)換效率。常見的應(yīng)用包括移動(dòng)設(shè)備的充電器和小型電源模塊。

2. **開關(guān)電源 (SMPS)**  
在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,LR120-VB 適合用于小型和中型負(fù)載的電源管理。其高耐壓和低功耗特性使其成為理想的開關(guān)元件,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)電源、工業(yè)電源和家用電器等領(lǐng)域,能夠幫助提高電源效率并降低熱損耗。

3. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**  
該MOSFET 在電池管理系統(tǒng)中也表現(xiàn)良好,可用于控制充電與放電路徑。LR120-VB 的低導(dǎo)通電阻與高電流承載能力非常適合用于電動(dòng)車和儲(chǔ)能系統(tǒng),確保能量傳遞的高效與安全。

4. **逆變器與整流器**  
在逆變器和整流器中,LR120-VB 可作為功率開關(guān),提升轉(zhuǎn)換效率。其高耐壓性能使其適用于太陽(yáng)能逆變器和電力轉(zhuǎn)換設(shè)備,有助于在高負(fù)載條件下維持穩(wěn)定的性能表現(xiàn),為可再生能源系統(tǒng)和工業(yè)電力設(shè)備提供有效支持。

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