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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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LR2703-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): LR2703-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### LR2703-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

LR2703-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有最高30V的漏源極耐壓,適合在高效電源管理和開關(guān)應(yīng)用中使用。LR2703-VB的閾值電壓為1.7V,低導(dǎo)通電阻(9mΩ @ VGS=4.5V,7mΩ @ VGS=10V)確保在開關(guān)操作時(shí)能有效降低能量損耗,提高系統(tǒng)效率。采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),使得LR2703-VB在高頻條件下的開關(guān)性能表現(xiàn)優(yōu)異,廣泛應(yīng)用于工業(yè)和消費(fèi)電子產(chǎn)品。

### LR2703-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**: TO252
- **溝道配置**: 單N溝道
- **漏源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 70A
- **技術(shù)類型**: 溝槽(Trench)技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**  
LR2703-VB 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)出色,特別適合于低壓高電流的應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻使其能夠減少能量損耗,提升轉(zhuǎn)換效率,廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備的充電器、LED驅(qū)動(dòng)電源和各種電源模塊。

2. **開關(guān)電源 (SMPS)**  
在開關(guān)電源的設(shè)計(jì)中,LR2703-VB 是理想的開關(guān)元件。由于其高電流承載能力和低熱量發(fā)散,該MOSFET可以在高頻操作下運(yùn)行,有助于減小電源體積并提高能效,適用于筆記本電腦電源、工業(yè)電源和通信設(shè)備等。

3. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**  
LR2703-VB 適合用于電池管理系統(tǒng)中,能夠高效地控制電池的充電和放電路徑。其高電流能力與低導(dǎo)通損耗使其在電動(dòng)車及儲(chǔ)能系統(tǒng)的能量管理中發(fā)揮重要作用,確保安全和高效的能量流動(dòng)。

4. **同步整流器**  
在同步整流器電路中,LR2703-VB 可替代傳統(tǒng)二極管,提升整流效率,降低功率損耗。該MOSFET 的超低導(dǎo)通電阻特別適合用于高效率的電源轉(zhuǎn)換模塊,如大功率充電器和逆變器,確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定性能。

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