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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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LR3103-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: LR3103-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡介:

LR3103-VB 是一款高效的 **N 溝道功率 MOSFET**,采用 **TO252 封裝**,專為高電流和高開關(guān)頻率的應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源電壓 (VDS) 為 **30V**,支持高達(dá) **±20V** 的柵源電壓 (VGS)。LR3103-VB 具有 **1.7V 的柵極閾值電壓 (Vth)**,在較低的柵極驅(qū)動電壓下實現(xiàn)快速導(dǎo)通。其導(dǎo)通電阻為 **6mΩ@VGS=4.5V** 和 **5mΩ@VGS=10V**,在高達(dá) **80A 的漏極電流 (ID)** 下,確保在功率傳輸過程中能夠?qū)崿F(xiàn)低能量損耗。這款 MOSFET 采用 **Trench 技術(shù)**,具有優(yōu)越的導(dǎo)電性能,適用于各種電源管理和開關(guān)電路。

### 2. 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝類型**:TO252
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS=4.5V
 - 5mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:80A
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C
- **最大功耗 (Ptot)**:依賴于散熱設(shè)計與應(yīng)用場景(TO252 封裝下的散熱管理)

### 3. 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例:

LR3103-VB MOSFET 廣泛應(yīng)用于多種 **電力電子領(lǐng)域**,尤其在高電流和高效率需求的場合。例如:

- **電源管理系統(tǒng)**:該 MOSFET 適用于開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,能夠高效處理電能轉(zhuǎn)換,降低能量損耗,從而提高系統(tǒng)整體效率,特別是在需要大電流輸出的場合。

- **電機驅(qū)動**:在電動機控制應(yīng)用中,例如 BLDC 電機和步進(jìn)電機驅(qū)動,LR3103-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電機驅(qū)動,確保穩(wěn)定的啟動和運行。

- **逆變器**:LR3103-VB 適合在光伏發(fā)電和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中用作逆變器的開關(guān)元件,能夠高效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,并保持穩(wěn)定的輸出功率。

- **汽車電子**:在汽車電氣系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以用于電池管理和電源分配模塊,能夠處理高電流需求,提高能效,并保證系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。

通過這些特性,LR3103-VB 在需要高效率、低功耗和高電流的應(yīng)用場合中,能夠提供卓越的性能和可靠性。

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