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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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LR3110Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): LR3110Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 8.5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、LR3110Z-VB產(chǎn)品簡(jiǎn)介

LR3110Z-VB是一款采用Trench技術(shù)的單N溝道MOSFET,封裝形式為TO252。該器件具有高達(dá)100V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS)承受能力,適合高電壓應(yīng)用。憑借其出色的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為10.5mΩ @ VGS=4.5V和8.5mΩ @ VGS=10V)以及高達(dá)85A的連續(xù)漏極電流能力,LR3110Z-VB在需要高效能和低功耗的電源管理和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中表現(xiàn)突出。該MOSFET非常適合用于電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)控制和消費(fèi)電子設(shè)備,能夠滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)高效率和高可靠性的需求。

### 二、LR3110Z-VB詳細(xì)參數(shù)說明

- **器件類型**: N溝道MOSFET
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單一N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 10.5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 8.5mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 85A
- **技術(shù)類型**: Trench
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +175°C
- **功耗 (Ptot)**: 150W

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源轉(zhuǎn)換**
  - LR3110Z-VB的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC電源適配器。在這些應(yīng)用中,它可以作為開關(guān)元件或同步整流器,優(yōu)化電源轉(zhuǎn)換效率,降低能耗,滿足對(duì)電源穩(wěn)定性和高效性的需求。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**
  - 在工業(yè)自動(dòng)化和電動(dòng)機(jī)控制領(lǐng)域,LR3110Z-VB可用于各種電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,包括伺服電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。其能夠處理大電流,同時(shí)保持低溫度和高效率,確保電機(jī)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能。

3. **消費(fèi)電子**
  - 該MOSFET在高性能消費(fèi)電子設(shè)備中也有廣泛應(yīng)用,如高效能的電池管理系統(tǒng)、智能家電和電動(dòng)工具。LR3110Z-VB的高效能和小型封裝有助于提升這些設(shè)備的續(xù)航能力和可靠性。

4. **通信基礎(chǔ)設(shè)施**
  - LR3110Z-VB也適用于通信設(shè)備的功率放大器和信號(hào)放大器中,提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。其高電壓和電流處理能力確保通信系統(tǒng)的可靠運(yùn)行,滿足不斷增長(zhǎng)的帶寬需求。

綜上所述,LR3110Z-VB憑借其優(yōu)異的性能和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景,在現(xiàn)代電力電子設(shè)備中扮演著重要角色,成為高效能和高可靠性應(yīng)用的理想選擇。

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