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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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LR3714Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: LR3714Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 1. 產品簡介:

LR3714Z-VB 是一款高效的 **N 溝道功率 MOSFET**,采用 **TO252 封裝**,專為高電流和高效率的應用而設計。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 為 **30V**,支持高達 **±20V** 的柵源電壓 (VGS)。LR3714Z-VB 具有 **1.7V 的柵極閾值電壓 (Vth)**,可以在較低的柵極驅動電壓下實現(xiàn)快速導通。其導通電阻為 **9mΩ@VGS=4.5V** 和 **7mΩ@VGS=10V**,在 **70A 的漏極電流 (ID)** 下表現(xiàn)出色,確保了低能量損耗。這款 MOSFET 采用 **Trench 技術**,具有優(yōu)越的導電性能,非常適合各種電源管理和開關電路的應用。

### 2. 詳細參數說明:

- **封裝類型**:TO252
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:70A
- **技術**:Trench 技術
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C
- **最大功耗 (Ptot)**:依賴于散熱設計與應用場景(TO252 封裝下的散熱管理)

### 3. 應用領域與模塊示例:

LR3714Z-VB MOSFET 在多種 **電力電子領域** 中具有廣泛應用,尤其是在高電流和高效率需求的情況下。例如:

- **電源管理系統(tǒng)**:該 MOSFET 特別適用于開關電源(SMPS)和 DC-DC 轉換器,可以高效地處理電能轉換,從而降低能量損耗并提高系統(tǒng)的整體效率,尤其在需要大電流輸出的場合下表現(xiàn)優(yōu)異。

- **電機驅動**:在電動機控制應用中,如無刷直流電機(BLDC)和步進電機驅動器,LR3714Z-VB 的高電流能力和低導通電阻使其能夠高效地管理電機的啟動和運行,確保平穩(wěn)的功率輸出。

- **逆變器**:LR3714Z-VB 適合用于光伏逆變器和風力發(fā)電系統(tǒng),能夠高效地將直流電轉化為交流電,并在變化的負載條件下提供穩(wěn)定的電能輸出。

- **汽車電子**:在汽車電氣系統(tǒng)中,LR3714Z-VB 可以用于電池管理和電源分配模塊,處理高電流需求,確保系統(tǒng)的能效和安全性,適合電動車和混合動力車的應用。

通過這些特點,LR3714Z-VB 在需要高效率、低功耗和高電流的應用場合中,能夠提供卓越的性能和可靠性。

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