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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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LR3715C-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: LR3715C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、LR3715C-VB產(chǎn)品簡介

LR3715C-VB是一款采用Trench技術(shù)的單N溝道MOSFET,封裝形式為TO252。該器件專為低電壓應(yīng)用設(shè)計,具有高達(dá)20V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS)承受能力。LR3715C-VB的閾值電壓(Vth)范圍為0.5V至1.5V,使其能夠在較低的柵壓下快速導(dǎo)通,具備出色的開關(guān)性能。該MOSFET在4.5V的柵壓下,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))低至4.5mΩ,最大持續(xù)漏極電流(ID)可達(dá)100A,適合于高效能和低功耗的電源管理應(yīng)用。

### 二、LR3715C-VB詳細(xì)參數(shù)說明

- **器件類型**: N溝道MOSFET
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單一N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5V 至 1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 2.5V
 - 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)類型**: Trench
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +175°C
- **功耗 (Ptot)**: 50W

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理**
  - LR3715C-VB的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源適配器。在這些應(yīng)用中,它可作為開關(guān)元件,優(yōu)化電源轉(zhuǎn)換效率并減少能量損耗,特別是在便攜式設(shè)備和智能手機充電器等要求緊湊和高效的應(yīng)用中。

2. **電機控制**
  - 在電機驅(qū)動和控制系統(tǒng)中,LR3715C-VB可以用于控制直流電動機和步進(jìn)電動機。由于其高電流能力和低開關(guān)損耗,該MOSFET可確保電機驅(qū)動的高效能和穩(wěn)定性,適合于工業(yè)自動化和機器人應(yīng)用。

3. **消費電子**
  - LR3715C-VB在消費電子產(chǎn)品中也有廣泛應(yīng)用,如電動工具、家庭電器和智能家居設(shè)備。其優(yōu)異的開關(guān)性能和高效率能夠提高這些設(shè)備的續(xù)航能力和使用體驗。

4. **照明控制**
  - 該MOSFET同樣適用于LED驅(qū)動電路中,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的開關(guān)控制和調(diào)光功能。由于其低導(dǎo)通電阻,LR3715C-VB能有效減少能量損失,提升照明系統(tǒng)的能效,適合用于智能照明解決方案。

綜上所述,LR3715C-VB憑借其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備中高效能和低功耗應(yīng)用的理想選擇。

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