--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
- ID 5A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、LSG04N65A-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
LSG04N65A-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電壓和中等功率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件的最大漏源電壓為650V,漏極電流可達(dá)5A,具有良好的開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻(1000mΩ @ VGS=10V)。LSG04N65A-VB 使用SJ_Multi-EPI(超級(jí)結(jié)多重外延)技術(shù),能夠在高溫和高頻條件下穩(wěn)定運(yùn)行,廣泛應(yīng)用于電源管理和高效能電路。
### 二、LSG04N65A-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
1. **封裝類型**: TO252
- TO252封裝為緊湊型設(shè)計(jì),便于在空間受限的應(yīng)用中使用,同時(shí)提供良好的散熱性能。
2. **溝道類型**: 單N溝道 (Single-N-Channel)
- 支持高效的電流控制,適合多種電源和開(kāi)關(guān)電路應(yīng)用。
3. **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- 高電壓耐受能力使其能在高電壓環(huán)境中安全穩(wěn)定地工作。
4. **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- 提供靈活的柵源電壓范圍,適合多種電路設(shè)計(jì)需求。
5. **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- 確保器件在高效能工作時(shí)的可靠性和穩(wěn)定性。
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1000mΩ @ VGS=10V
- 較低的導(dǎo)通電阻降低了功率損耗,提高系統(tǒng)效率。
7. **漏極電流 (ID)**: 5A
- 最大漏極電流適合中等功率的應(yīng)用需求。
8. **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI(超級(jí)結(jié)多重外延技術(shù))
- 此技術(shù)提高了器件的導(dǎo)電性能和熱性能,確保其在高頻和高溫條件下的可靠性。
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例
1. **開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)**
LSG04N65A-VB 非常適合用于開(kāi)關(guān)電源中,能夠高效地控制功率轉(zhuǎn)換,滿足各種電源需求,如AC/DC電源和DC/DC變換器。
2. **電動(dòng)汽車 (EV) 電源管理**
此MOSFET 可用于電動(dòng)汽車的電源管理系統(tǒng)中,優(yōu)化電池的充放電過(guò)程,確保電動(dòng)車在不同負(fù)載條件下的高效能和安全性。
3. **LED照明驅(qū)動(dòng)電路**
LSG04N65A-VB 可用于LED驅(qū)動(dòng)電路,保證LED在高功率應(yīng)用中的穩(wěn)定性和效率,同時(shí)降低熱損耗,延長(zhǎng)LED的使用壽命。
4. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制**
在電機(jī)控制系統(tǒng)中,該MOSFET 可以用作開(kāi)關(guān)元件,提供快速響應(yīng)和高效能的電流控制,提高電動(dòng)機(jī)的整體效率。
5. **不間斷電源 (UPS)**
該器件在UPS系統(tǒng)中可用于電池管理和電源切換,確保在停電時(shí)系統(tǒng)的可靠供電,提供高效的能量轉(zhuǎn)換。
6. **可再生能源逆變器**
LSG04N65A-VB 適合用于太陽(yáng)能逆變器,支持直流到交流的高效轉(zhuǎn)換,滿足高電壓和高功率的需求,實(shí)現(xiàn)可再生能源的有效利用。
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