--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 80A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### MDD1653-VB 產(chǎn)品簡介
MDD1653-VB 是一款高效單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電流和低導(dǎo)通電阻需求的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓 (VDS) 為 30V,柵源電壓 (VGS) 為 ±20V,確保了在廣泛的工作條件下具有穩(wěn)定的操作性能。該器件的閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,能夠快速開啟。MDD1653-VB 在 VGS 為 4.5V 時(shí)的導(dǎo)通電阻為 6mΩ,而在 VGS 為 10V 時(shí)則為 5mΩ,確保其低功耗和高效率。它的最大漏極電流 (ID) 可達(dá) 80A,適用于需要高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景。采用 Trench 技術(shù)的設(shè)計(jì),進(jìn)一步提升了其開關(guān)速度和功耗效率。
### MDD1653-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝 (Package):** TO252
- **配置 (Configuration):** 單 N 溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS):** 30V
- **柵源電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):**
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID):** 80A
- **技術(shù) (Technology):** Trench
### MDD1653-VB 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊
1. **汽車電子**:MDD1653-VB 適用于汽車電子中的電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用,例如電動(dòng)窗控制、發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)等。它的大電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其在這些需要高可靠性和效率的環(huán)境中表現(xiàn)優(yōu)異。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,該 MOSFET 能提供高效的電流開關(guān)能力,適用于電動(dòng)車輛和工業(yè)自動(dòng)化中的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)。其高電流處理能力確保設(shè)備能在高負(fù)載下穩(wěn)定工作。
3. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:MDD1653-VB 是 DC-DC 轉(zhuǎn)換器電路中的理想選擇,尤其適合高功率密度和低損耗的設(shè)計(jì)需求。它能夠在不同的輸入電壓條件下高效轉(zhuǎn)換電壓,適用于消費(fèi)電子和通信設(shè)備的電源管理模塊。
4. **負(fù)載開關(guān)與保護(hù)電路**:該 MOSFET 被廣泛應(yīng)用于保護(hù)電路和負(fù)載開關(guān)中,以應(yīng)對(duì)瞬態(tài)電流或突發(fā)高功率需求。其高開關(guān)速度和低 RDS(ON) 性能能夠確保在惡劣條件下快速響應(yīng)并提供保護(hù)。
通過結(jié)合低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,MDD1653-VB 在高功率和高效能的領(lǐng)域內(nèi)具有廣泛的應(yīng)用前景。
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