--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
- ID 18A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### MTD3055T4G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**MTD3055T4G-VB** 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,采用 **TO252 封裝**,專為高電壓和大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的 **漏極-源極電壓 (VDS)** 為 **60V**,適合于各種電源管理和開關(guān)電路。具有最大 **18A** 的連續(xù)漏電流 (ID),使其能夠有效處理較大的負(fù)載電流。在 **VGS=10V** 時(shí),MTD3055T4G-VB 的導(dǎo)通電阻為 **73mΩ**,在 **VGS=4.5V** 時(shí)為 **85mΩ**,確保在低柵壓條件下仍能實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀的導(dǎo)通性能。該器件采用 **Trench 技術(shù)**,具有較高的開關(guān)速度和低的導(dǎo)通損耗,適合于高頻和高功率的電路應(yīng)用。
---
### MTD3055T4G-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 60V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 85mΩ @ VGS = 4.5V
- 73mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續(xù)漏電流 (ID)**: 18A
- **技術(shù)類型**: Trench
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C
---
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:MTD3055T4G-VB 可作為 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件,尤其是在需要穩(wěn)定高電壓輸出的應(yīng)用中,如升壓和降壓轉(zhuǎn)換器。其低導(dǎo)通電阻特性可提高轉(zhuǎn)換效率,減少熱量產(chǎn)生。
2. **電源管理**:該 MOSFET 適合于各種電源管理電路,如電池管理系統(tǒng)、負(fù)載開關(guān)和電源分配。它能夠在多個(gè)電源之間切換,確保設(shè)備穩(wěn)定性和可靠性,特別是在便攜式和移動(dòng)設(shè)備中。
3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,MTD3055T4G-VB 可用于控制直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī),確保對(duì)電機(jī)的精確控制和高效運(yùn)行,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)工具和家電設(shè)備中。
4. **LED 驅(qū)動(dòng)**:在 LED 照明應(yīng)用中,MTD3055T4G-VB 可以作為開關(guān)元件,控制 LED 的開關(guān)和調(diào)光功能。其較低的導(dǎo)通電阻能減少能量損失,提高 LED 照明系統(tǒng)的效率和壽命。
5. **音頻放大器**:在音頻放大器設(shè)計(jì)中,MTD3055T4G-VB 可用于功率放大電路,提升音頻信號(hào)的處理能力,確保在高電流下的穩(wěn)定性,非常適合高保真音頻設(shè)備的需求。
綜上所述,MTD3055T4G-VB
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