--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、N4800L-VB 產(chǎn)品簡介
N4800L-VB 是一款高效能的 **N 溝道 MOSFET**,采用 **TO252 封裝**,專為低電壓高電流應用設(shè)計。其 **最大漏極-源極電壓 (V_DS)** 為 **30V**,支持 **±20V** 的柵極-源極電壓 (V_GS) 操作。N4800L-VB 的 **柵極開啟電壓 (V_th)** 為 **1.7V**,實現(xiàn)快速的開啟響應,能夠有效降低開關(guān)損耗。該 MOSFET 的導通電阻 (R_DS(ON)) 在 **V_GS = 10V** 時為 **7mΩ**,具備高達 **70A** 的漏極電流 (I_D) 處理能力。采用 **Trench 技術(shù)**,該器件提供卓越的導電性能和熱穩(wěn)定性,非常適合廣泛應用于電源管理、負載驅(qū)動和電動汽車等領(lǐng)域。
---
### 二、N4800L-VB 詳細參數(shù)說明
| **參數(shù)** | **描述** | **數(shù)值** |
|-------------------------|------------------------------------------------|--------------------|
| **封裝類型** | TO252 封裝 | - |
| **極性** | 單 N 溝道 | - |
| **V_DS** | 漏極-源極電壓 | 30V |
| **V_GS** | 柵極-源極電壓范圍 | ±20V |
| **V_th** | 柵極開啟電壓 | 1.7V |
| **R_DS(ON)** | 導通電阻 (V_GS = 4.5V) | 9mΩ |
| **R_DS(ON)** | 導通電阻 (V_GS = 10V) | 7mΩ |
| **I_D** | 最大漏極電流 | 70A |
| **功率耗散 (P_D)** | 最大功率耗散能力(25°C 時) | 50W |
| **工作溫度范圍** | 允許的結(jié)溫范圍 | -55°C ~ 150°C |
| **技術(shù)** | Trench 技術(shù) | - |
| **封裝引腳** | 4 引腳(適用于表面安裝) | - |
---
### 三、N4800L-VB 的應用領(lǐng)域與模塊說明
1. **電源管理**
N4800L-VB 非常適合用于 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器** 和 **電源管理模塊**,尤其是在高效能和小體積的電源設(shè)計中。其低導通電阻和高電流處理能力使其能夠有效地轉(zhuǎn)換電源,廣泛應用于筆記本電腦、平板電腦及智能手機等消費電子設(shè)備。
2. **電動汽車**
在電動汽車的 **電池管理系統(tǒng) (BMS)** 中,N4800L-VB 可作為高效的開關(guān)器件,用于控制電池的充放電過程。其出色的導通特性和高溫工作能力確保系統(tǒng)在極端條件下的穩(wěn)定性和安全性。
3. **LED 驅(qū)動**
該 MOSFET 可以用于 **LED 驅(qū)動電路**,以高效驅(qū)動高亮度 LED。N4800L-VB 的低導通電阻能夠減少功耗,提升光效,適合用于照明產(chǎn)品和顯示設(shè)備中。
4. **電機控制**
在 **電機控制和驅(qū)動模塊** 中,N4800L-VB 的高電流能力和快速開關(guān)特性使其成為控制無刷直流電機(BLDC)的理想選擇,廣泛應用于家用電器、工業(yè)設(shè)備和機器人應用。
5. **負載開關(guān)和熱插拔應用**
N4800L-VB 也適用于 **負載開關(guān)** 和 **熱插拔控制**。它能夠快速響應電流變化,確保系統(tǒng)在電氣連接和斷開過程中的穩(wěn)定性,廣泛應用于服務器、計算機和其他需要高可靠性的設(shè)備中。
---
### 總結(jié)
N4800L-VB 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET,以其卓越的電氣特性和可靠性,成為電源管理、電動汽車、LED 驅(qū)動及各種工業(yè)應用中的理想選擇。通過其 **低導通電阻** 和 **高電流承載能力**,N4800L-VB 有助于實現(xiàn)高效能和低功耗的設(shè)計目標。
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