chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 93w+ 瀏覽量 16 粉絲

N4800L-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: N4800L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、N4800L-VB 產(chǎn)品簡介  

N4800L-VB 是一款高效能的 **N 溝道 MOSFET**,采用 **TO252 封裝**,專為低電壓高電流應用設(shè)計。其 **最大漏極-源極電壓 (V_DS)** 為 **30V**,支持 **±20V** 的柵極-源極電壓 (V_GS) 操作。N4800L-VB 的 **柵極開啟電壓 (V_th)** 為 **1.7V**,實現(xiàn)快速的開啟響應,能夠有效降低開關(guān)損耗。該 MOSFET 的導通電阻 (R_DS(ON)) 在 **V_GS = 10V** 時為 **7mΩ**,具備高達 **70A** 的漏極電流 (I_D) 處理能力。采用 **Trench 技術(shù)**,該器件提供卓越的導電性能和熱穩(wěn)定性,非常適合廣泛應用于電源管理、負載驅(qū)動和電動汽車等領(lǐng)域。

---

### 二、N4800L-VB 詳細參數(shù)說明  

| **參數(shù)**                | **描述**                                       | **數(shù)值**           |
|-------------------------|------------------------------------------------|--------------------|
| **封裝類型**             | TO252 封裝                                    | -                  |
| **極性**                 | 單 N 溝道                                      | -                  |
| **V_DS**                | 漏極-源極電壓                                  | 30V                |
| **V_GS**                | 柵極-源極電壓范圍                              | ±20V               |
| **V_th**                | 柵極開啟電壓                                   | 1.7V               |
| **R_DS(ON)**            | 導通電阻 (V_GS = 4.5V)                        | 9mΩ                |
| **R_DS(ON)**            | 導通電阻 (V_GS = 10V)                         | 7mΩ                |
| **I_D**                 | 最大漏極電流                                   | 70A                |
| **功率耗散 (P_D)**      | 最大功率耗散能力(25°C 時)                     | 50W                |
| **工作溫度范圍**         | 允許的結(jié)溫范圍                                 | -55°C ~ 150°C      |
| **技術(shù)**                | Trench 技術(shù)                                    | -                  |
| **封裝引腳**             | 4 引腳(適用于表面安裝)                       | -                  |

---

### 三、N4800L-VB 的應用領(lǐng)域與模塊說明  

1. **電源管理**  
  N4800L-VB 非常適合用于 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器** 和 **電源管理模塊**,尤其是在高效能和小體積的電源設(shè)計中。其低導通電阻和高電流處理能力使其能夠有效地轉(zhuǎn)換電源,廣泛應用于筆記本電腦、平板電腦及智能手機等消費電子設(shè)備。

2. **電動汽車**  
  在電動汽車的 **電池管理系統(tǒng) (BMS)** 中,N4800L-VB 可作為高效的開關(guān)器件,用于控制電池的充放電過程。其出色的導通特性和高溫工作能力確保系統(tǒng)在極端條件下的穩(wěn)定性和安全性。

3. **LED 驅(qū)動**  
  該 MOSFET 可以用于 **LED 驅(qū)動電路**,以高效驅(qū)動高亮度 LED。N4800L-VB 的低導通電阻能夠減少功耗,提升光效,適合用于照明產(chǎn)品和顯示設(shè)備中。

4. **電機控制**  
  在 **電機控制和驅(qū)動模塊** 中,N4800L-VB 的高電流能力和快速開關(guān)特性使其成為控制無刷直流電機(BLDC)的理想選擇,廣泛應用于家用電器、工業(yè)設(shè)備和機器人應用。

5. **負載開關(guān)和熱插拔應用**  
  N4800L-VB 也適用于 **負載開關(guān)** 和 **熱插拔控制**。它能夠快速響應電流變化,確保系統(tǒng)在電氣連接和斷開過程中的穩(wěn)定性,廣泛應用于服務器、計算機和其他需要高可靠性的設(shè)備中。

---

### 總結(jié)  

N4800L-VB 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET,以其卓越的電氣特性和可靠性,成為電源管理、電動汽車、LED 驅(qū)動及各種工業(yè)應用中的理想選擇。通過其 **低導通電阻** 和 **高電流承載能力**,N4800L-VB 有助于實現(xiàn)高效能和低功耗的設(shè)計目標。

為你推薦