### 一、MTD4N20E-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
MTD4N20E-VB 是一款 **單 N 溝道功率 MOSFET**，采用 **TO252 封裝**，其設(shè)計(jì)用于高壓應(yīng)用，最大漏源極電壓 (**VDS**) 可達(dá)到 200V，支持 ±20V 的柵源極電壓 (**VGS**)，開(kāi)啟電壓 (**Vth**) 為 3V。這款 MOSFET 的導(dǎo)通電阻 (**RDS(ON)**) 在 VGS=10V 時(shí)為 245mΩ，具有較低的功率損耗和優(yōu)異的導(dǎo)通性能，使其在多種電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
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### 二、MTD4N20E-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
| **參數(shù)** | **數(shù)值** | **說(shuō)明** |
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| **封裝類型** | TO252 | 表面貼裝封裝，適合于緊湊設(shè)計(jì) |
| **配置** | 單 N 溝道 | 適用于低側(cè)開(kāi)關(guān)和電源管理 |
| **VDS（漏源極電壓）** | 200V | 能承受的最大漏源極電壓 |
| **VGS（柵源極電壓）** | ±20V | 柵極允許的最大電壓范圍 |
| **Vth（開(kāi)啟電壓）** | 3V | 柵極電壓達(dá)到此值時(shí) MOSFET 導(dǎo)通 |
| **RDS(ON)@VGS=10V** | 245mΩ | 在 10V 柵極電壓下的導(dǎo)通電阻 |
| **ID（漏極電流）** | 10A | 最大連續(xù)漏極電流 |
| **技術(shù)** | Trench | 溝槽技術(shù)，適合低電壓高效應(yīng)用 |
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### 三、MTD4N20E-VB 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
1. **開(kāi)關(guān)電源**
MTD4N20E-VB 可廣泛應(yīng)用于 **開(kāi)關(guān)電源** 中，作為開(kāi)關(guān)元件在電源轉(zhuǎn)換過(guò)程中控制電流的流動(dòng)，能夠有效提高能效并降低熱量產(chǎn)生。
2. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**
在 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器** 設(shè)計(jì)中，該 MOSFET 的高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻使其非常適合于提升和降壓電路，確保穩(wěn)定的輸出電壓和電流。
3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**
該 MOSFET 也可用于 **電機(jī)驅(qū)動(dòng)** 電路，作為控制電機(jī)啟停及速度的開(kāi)關(guān)元件，能夠?qū)崿F(xiàn)精確的電機(jī)控制，適用于風(fēng)扇、泵和其他電動(dòng)工具。
4. **LED 驅(qū)動(dòng)**
MTD4N20E-VB 在 **LED 驅(qū)動(dòng)** 應(yīng)用中，可以作為開(kāi)關(guān)控制 LED 照明的電源，確保高效的功率管理和良好的光輸出。
5. **消費(fèi)電子**
該 MOSFET 在 **消費(fèi)電子產(chǎn)品** 中同樣表現(xiàn)出色，適合用于電源管理模塊，幫助提高設(shè)備的能效并延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間，例如在手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦中。
綜上所述，MTD4N20E-VB 是一款具有高電壓承受能力和低功耗特性的 N 溝道功率 MOSFET，適用于多種需要高效電源管理的電子設(shè)備和系統(tǒng)。