--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
- ID 15A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、MTD6N10-VB 產(chǎn)品簡介
MTD6N10-VB 是一款高性能的 **N-Channel MOSFET**,采用 **TO252 封裝**,專為中壓應(yīng)用而設(shè)計。該器件具有最大漏源電壓 (**VDS**) 高達(dá) **100V**,適合用于多種電源管理和開關(guān)控制場合。它的柵源電壓 (**VGS**) 最大為 **±20V**,并且在 **Vth** 為 **1.8V** 的情況下,能迅速導(dǎo)通,表現(xiàn)出優(yōu)越的開關(guān)性能。MTD6N10-VB 的 **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** 在 **VGS=10V** 時為 **114mΩ**,這使其在應(yīng)用中具備較低的導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)效率。最大漏極電流 (**ID**) 為 **15A**,適用于多種中等功率的開關(guān)電源和驅(qū)動電路。
---
### 二、MTD6N10-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
| **參數(shù)** | **描述與值** |
|-------------------------|---------------------------------------|
| **封裝 (Package)** | TO252 |
| **極性 (Configuration)**| 單 N-溝道 MOSFET |
| **漏源電壓 (VDS)** | 100V |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±20V |
| **開啟電壓 (Vth)** | 1.8V |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 114mΩ @ VGS = 10V |
| **漏極電流 (ID)** | 15A |
| **技術(shù) (Technology)** | Trench |
| **最大功耗 (Pd)** | 40W(取決于散熱條件) |
| **工作溫度范圍** | -55°C 至 150°C |
---
### 三、MTD6N10-VB 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊
MTD6N10-VB 的特性使其在多個領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用,以下是一些適合該 MOSFET 的應(yīng)用示例:
1. **開關(guān)電源**
- MTD6N10-VB 可用于 **開關(guān)電源 (SMPS)** 和 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**,通過高效的開關(guān)控制實現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備的電源管理。
2. **LED 驅(qū)動**
- 該器件適合用于 **LED 照明控制**,能夠有效調(diào)節(jié)LED的亮度,應(yīng)用于商業(yè)照明、家居照明以及汽車燈光控制等領(lǐng)域。
3. **電動機(jī)控制**
- MTD6N10-VB 可用于 **電動機(jī)驅(qū)動電路**,能夠快速響應(yīng)并提供穩(wěn)定的電流,適用于家用電器和工業(yè)設(shè)備的電機(jī)控制。
4. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**
- 在電池管理系統(tǒng)中,MTD6N10-VB 可以作為開關(guān)元件,管理電池的充放電過程,提高電池的安全性與效率,尤其在電動車和儲能系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛。
5. **逆變器**
- 該 MOSFET 可用于 **逆變器** 的設(shè)計,將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,廣泛應(yīng)用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)、風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng)等可再生能源解決方案中。
6. **消費電子**
- MTD6N10-VB 適合用于各類 **消費電子設(shè)備**,如智能手機(jī)、平板電腦及便攜式設(shè)備的電源管理模塊,幫助提升產(chǎn)品的整體性能與可靠性。
通過這些應(yīng)用示例,MTD6N10-VB 展示了其在現(xiàn)代電子設(shè)備中對高效率、低損耗和高可靠性的廣泛適用性。
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