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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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MTD6N15T4G-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): MTD6N15T4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### **MTD6N15T4G-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**

**MTD6N15T4G-VB** 是一款高性能 **單 N 溝道 MOSFET**,采用 **TO252 封裝**,專為高壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的 **漏-源電壓 (VDS)** 高達(dá) **200V**,使其能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作,廣泛應(yīng)用于各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用中。**柵-源電壓 (VGS)** 的范圍為 **±20V**,提供了靈活的驅(qū)動(dòng)電壓選擇,適應(yīng)不同的電路設(shè)計(jì)需求。其 **閾值電壓 (Vth)** 為 **3V**,能夠在適當(dāng)?shù)臇艍合卵杆賹?dǎo)通,適合高效開關(guān)應(yīng)用。MTD6N15T4G-VB 在 **VGS = 10V** 時(shí)的 **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** 為 **245mΩ**,確保在工作時(shí)低能耗和高效率。最大 **連續(xù)漏極電流 (ID)** 為 **10A**,滿足多種電流需求。采用 **Trench 技術(shù)**,該 MOSFET 提供優(yōu)異的熱性能和開關(guān)特性,適用于各種工業(yè)和消費(fèi)電子產(chǎn)品。

---

### **MTD6N15T4G-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明**

| **參數(shù)**                 | **值**                          | **說(shuō)明**                                           |
|--------------------------|----------------------------------|----------------------------------------------------|
| **封裝**                 | TO252                            | 適用于表面貼裝,便于散熱與安裝。                  |
| **配置**                 | 單 N 溝道                       | 提供高效的開關(guān)與控制功能。                         |
| **VDS(漏-源電壓)**     | 200V                             | 高耐壓設(shè)計(jì),適合高壓應(yīng)用。                         |
| **VGS(柵-源電壓)**     | ±20V                            | 提供靈活的電壓范圍,適應(yīng)不同的電路需求。          |
| **Vth(閾值電壓)**      | 3V                               | 合理的閾值電壓,確??焖賹?dǎo)通。                     |
| **RDS(ON) @ VGS = 10V**  | 245mΩ                          | 低導(dǎo)通電阻,減少功耗與發(fā)熱。                       |
| **ID(連續(xù)漏極電流)**   | 10A                             | 滿足中等電流應(yīng)用的需求。                           |
| **技術(shù)**                 | Trench                           | 提供低導(dǎo)通電阻與高效能,優(yōu)化熱管理性能。           |

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### **MTD6N15T4G-VB 的應(yīng)用示例**

1. **開關(guān)電源**  
  MTD6N15T4G-VB 適用于 **開關(guān)電源 (SMPS)**,特別是在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中。其高壓耐受能力與低導(dǎo)通電阻特性,使得在電源轉(zhuǎn)換過(guò)程中能有效降低能量損失,提高系統(tǒng)效率,廣泛應(yīng)用于電腦電源、電視電源和各類工業(yè)電源適配器中。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**  
  該 MOSFET 在 **電動(dòng)機(jī)控制** 中非常有效,適合驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)和無(wú)刷電機(jī) (BLDC)。由于其較大的電流能力和快速開關(guān)特性,可以實(shí)現(xiàn)電動(dòng)機(jī)的高效平穩(wěn)運(yùn)行,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)工具、電動(dòng)車和家電等領(lǐng)域。

3. **LED 驅(qū)動(dòng)電路**  
  MTD6N15T4G-VB 也適用于 **LED 照明控制**,通過(guò)調(diào)節(jié) LED 照明的電流實(shí)現(xiàn)亮度調(diào)節(jié)。其低導(dǎo)通電阻確保照明系統(tǒng)的高能效,適合在家居照明、商業(yè)照明和景觀照明等領(lǐng)域。

4. **電池管理系統(tǒng)**  
  此器件在 **電池管理系統(tǒng) (BMS)** 中的應(yīng)用有助于控制電池的充放電過(guò)程,確保電池的安全性與延長(zhǎng)使用壽命,適合在電動(dòng)汽車、可再生能源存儲(chǔ)系統(tǒng)以及移動(dòng)設(shè)備中廣泛應(yīng)用。

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**MTD6N15T4G-VB** 以其高效能和多功能性,成為現(xiàn)代高壓電源管理和控制應(yīng)用中的重要組件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、消費(fèi)電子及汽車等多個(gè)領(lǐng)域。

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