--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-P-Channel
- VDS -100V
- VGS 20(±V)
- Vth -2V
- RDS(ON) 100mΩ@VGS=10V
- ID -16A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### NCE01P13K-VB 產(chǎn)品簡介
NCE01P13K-VB 是一款高性能的單 P 通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電壓和高電流應用設計。其最大漏源電壓(VDS)可達 -100V,能夠支持 ±20V 的柵源電壓(VGS),在各種電氣環(huán)境中表現(xiàn)穩(wěn)定。該器件的閾值電壓(Vth)為 -2V,使其在較低電壓下即可高效開啟,適合對電流開關(guān)響應速度要求較高的應用。
在開關(guān)狀態(tài)下,NCE01P13K-VB 的導通電阻(RDS(ON))在 VGS=10V 時為 100mΩ,這意味著其在大電流(ID 為 -16A)應用中功耗較低,能夠有效降低系統(tǒng)發(fā)熱并提高整體效率。其采用的 Trench 技術(shù)保證了器件在高頻開關(guān)和熱管理方面的優(yōu)越性能,能夠滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對高效能和高可靠性的需求。
### NCE01P13K-VB 詳細參數(shù)說明
| 參數(shù) | 值 |
|------------------|----------------------|
| **型號** | NCE01P13K-VB |
| **封裝** | TO252 |
| **配置** | 單 P 通道 |
| **VDS** | -100V |
| **VGS** | ±20V |
| **閾值電壓 (Vth)** | -2V |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 120mΩ @ VGS=4.5V |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 100mΩ @ VGS=10V |
| **最大漏電流 (ID)** | -16A |
| **技術(shù)** | Trench |
### 應用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理模塊**:NCE01P13K-VB 在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源設計中表現(xiàn)出色,其低導通電阻和高電流能力有助于提高能效,降低系統(tǒng)熱損耗,確保電源的穩(wěn)定性和可靠性。
2. **電動汽車**:在電動汽車的電池管理系統(tǒng)和電機驅(qū)動模塊中,NCE01P13K-VB 能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電流控制,適應電池充電與放電的需求,提高電池的使用效率,從而增強電動汽車的續(xù)航能力。
3. **LED 驅(qū)動電路**:在 LED 照明應用中,該 MOSFET 可以用于電流調(diào)節(jié)和開關(guān)控制,保證 LED 的穩(wěn)定亮度并延長其使用壽命,適合用于各類照明系統(tǒng)。
4. **家用電器**:在家用電器如洗衣機、空調(diào)等中,NCE01P13K-VB 可以作為開關(guān)元件,提供可靠的電流控制,確保設備的高效運行和能耗管理。
5. **消費電子產(chǎn)品**:該 MOSFET 在智能家居設備、音響系統(tǒng)及其他消費電子產(chǎn)品的電源管理中應用廣泛,滿足現(xiàn)代設備對高效率和高可靠性的設計需求。
綜上所述,NCE01P13K-VB 是一款性能優(yōu)越的 P 通道 MOSFET,能夠在多種高電壓和高電流應用中提供可靠的解決方案,滿足嚴苛的工作條件和高效能的設計要求。
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