--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 高溫槽預(yù)熱溫度范圍 +60℃~200℃
- 升溫時間 +60℃~200℃≤30min
- 低溫槽預(yù)冷溫度范圍 -75~-10℃
- 降溫時間 +20℃~-75℃≤60min
- 溫度波動度 ±0.5℃
- 溫度偏差 ±2.0℃
--- 產(chǎn)品詳情 ---
冷熱沖擊試驗設(shè)備是品質(zhì)部的一種測試設(shè)備,可適用于多個行業(yè),如電子電器零組件、通訊組件、自動化零部件、汽車配件、化學(xué)材料、金屬、塑膠等,同時也適合航天、國防工業(yè)、BGA、兵工業(yè)、PCB基扳、電子芯片IC、半導(dǎo)體陶磁和高分子材料等領(lǐng)域。
冷熱沖擊試驗設(shè)備主要用于測試物品在高、低溫環(huán)境下的反復(fù)抵拉力和熱脹冷縮性能,以及產(chǎn)品在此物理環(huán)境下產(chǎn)生的化學(xué)變化或物理傷害。使用該設(shè)備可以確認(rèn)各種產(chǎn)品的品質(zhì),從精密的電子芯片到重型機械組件都需要進行測試。目前,該設(shè)備已經(jīng)成為工業(yè)界公認(rèn)的理想測試工具之一。

使用冷熱沖擊試驗設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行:
GB/T10592-2008是關(guān)于高低溫試驗箱技術(shù)條件的標(biāo)準(zhǔn)。
GB/T2423.1-2008是關(guān)于電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗的標(biāo)準(zhǔn),其中第2部分是有關(guān)試驗方法的規(guī)定。試驗A是針對低溫的試驗。
《GB/T2423.2-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗》的第2部分規(guī)定了試驗方法,其中試驗B是高溫試驗。
GB/T2423.22-2012是關(guān)于環(huán)境試驗的標(biāo)準(zhǔn),其中第2部分為試驗方法。試驗N是指溫度變化試驗,該試驗方法與IEC60068-2-14:2009標(biāo)準(zhǔn)相一致。
GJB150.《3-86設(shè)備環(huán)境試驗方法》的第3部分是關(guān)于高溫試驗的。
《GJB/T150.4-86設(shè)備環(huán)境試驗方法第4部分低溫試驗》規(guī)定了低溫環(huán)境下設(shè)備的試驗方法。
《GJB/T150.5-86設(shè)備環(huán)境試驗方法》的第5部分是關(guān)于溫度沖擊試驗的。

冷熱沖擊試驗設(shè)備技術(shù)參數(shù):
1.貝爾可根據(jù)客戶的需求制造出更適合的設(shè)備,內(nèi)箱尺寸為W800毫米×H800毫米×D800毫米。
2.外箱尺寸:以實際尺寸為準(zhǔn)。
3.高溫槽的預(yù)熱溫度范圍為60攝氏度至200攝氏度。
4.加熱速度:從60℃升至200℃不超過30分鐘。
5.預(yù)冷的低溫槽可以達到-75至-10℃的溫度范圍。
6.降溫時間:從+20℃到-75℃不超過60分鐘;(注意:降溫時間是指低溫槽獨立運行時的表現(xiàn))。
7.溫度沖擊范圍為正數(shù):+60℃至+150℃,負數(shù):-65℃至-10℃。
8.溫度變化范圍:在攝氏度上上下浮動不超過0.5℃。
9.溫度誤差范圍為正負2.0℃。
10.恢復(fù)溫度所需時間:不超過5分鐘。
11.試樣限制:本實驗設(shè)備不允許測試或儲存易燃、易爆或易揮發(fā)性物質(zhì)的試樣,也不允許測試或儲存具有腐蝕性的試樣。
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