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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN3900UFA N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN3900UFA

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN3900UFA
  • 名稱(chēng) N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 X2-DFN0806-3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN3900UFA 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN3900UFA 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON）），同時(shí)保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMN3900UFA
名稱(chēng)                N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                 X2-DFN0806-3

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.65 A
PD @TA = +25°C (W) 0.49 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 760 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 930 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1500 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 0.95 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.7 nC
CISS Typ (pF) 42.2 pF

 

主要特征
0.4mm超薄封裝，適用于薄型應(yīng)用
0.48平方米
封裝占地面積，比SOT23小16倍
低VGS（th），可直接由電池驅(qū)動(dòng)
RDS低（打開(kāi)）
ESD保護(hù)

 

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