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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NTD2955T4G-VB-TO252封裝P溝道MOSFET

型號(hào): NTD2955T4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 頻道類型 P溝道
  • 額定電壓 60V
  • 額定電流 38A
  • RDS(ON) 61mΩ @ 10V,72mΩ @ 4.5V
  • 門源電壓范圍 ±20V
  • 門源閾值電壓 1.3V
  • 封裝類型 TO252

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào) NTD2955T4G絲印 VBE2610N品牌 VBsemi參數(shù) - 頻道類型 P溝道- 額定電壓 -60V- 額定電流 -38A- RDS(ON) 61mΩ @ 10V,72mΩ @ 4.5V- 門源電壓范圍 ±20V- 門源閾值電壓 -1.3V- 封裝類型 TO252應(yīng)用簡(jiǎn)介 NTD2955T4G(絲印 VBE2610N)是VBsemi公司生產(chǎn)的一款P溝道功率MOSFET。以下是詳細(xì)的參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用簡(jiǎn)介 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 NTD2955T4G是一款高壓、高電流承載能力的P溝道功率MOSFET。主要參數(shù)包括額定電壓為-60V,額定電流為-38A,RDS(ON)為61mΩ @ 10V,72mΩ @ 4.5V,門源電壓范圍為±20V,門源閾值電壓為-1.3V,封裝類型為TO252。應(yīng)用領(lǐng)域 NTD2955T4G(VBE2610N)適用于多種領(lǐng)域和應(yīng)用場(chǎng)景,特別適用于需要P溝道功率MOSFET的高壓、高電流電路。以下是一些典型的應(yīng)用領(lǐng)域 1. 電源管理模塊 NTD2955T4G可用于電源管理模塊中,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流輸出,改善系統(tǒng)的功耗和效率。2. 電動(dòng)工具和汽車電子系統(tǒng) 它適用于電動(dòng)工具和汽車電子系統(tǒng)中的驅(qū)動(dòng)和控制電路,實(shí)現(xiàn)高功率和高效能的電力輸出。3. 電池管理系統(tǒng) NTD2955T4G可用于電池管理系統(tǒng)中的充放電控制電路,提供高效能和可靠的電池管理能力。4. 電動(dòng)車充電樁 NTD2955T4G適用于電動(dòng)車充電樁中的開關(guān)電路,提供高效能的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流控制。5. 工業(yè)自動(dòng)化和通信設(shè)備 NTD2955T4G適用于工業(yè)自動(dòng)化和通信設(shè)備中的開關(guān)電路,提供電源管理和電流控制功能。綜上所述,NTD2955T4G(VBE2610N)是一款P溝道功率MOSFET,適用于電源管理模塊、電動(dòng)工具、汽車電子系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)、電動(dòng)車充電樁、工業(yè)自動(dòng)化和通信設(shè)備等領(lǐng)域模塊。它具有高壓、高電流承載能力,適用于需要高功率和高效能的電路。

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