型號 SUD50P0615LGE3絲印 VBE2625品牌 VBsemi參數(shù)說明 MOSFET類型 P溝道 額定電壓(VDS) 60V 額定電流(ID) 50A 開通電阻(RDS(ON)) 20mΩ@10V, 25mΩ@4.5V 閾值電壓(Vth) 1.76V 封裝類型 TO252應(yīng)用簡介 這款SUD50P0615LGE3 MOSFET是一款P溝道類型的高功率MOSFET，適用于負極性電源應(yīng)用場景。它具有高額定電壓和額定電流能力，適用于需要高功率開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。這款MOSFET可以廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域的模塊 電源管理模塊 用于負極電源開關(guān)、DCDC變換器、逆變器等高功率電源模塊。 電機控制模塊 用于負極直流電機驅(qū)動、步進電機驅(qū)動等高功率電機控制。 汽車電子模塊 用于汽車電池管理、照明控制、負極電源開關(guān)等高功率汽車電子模塊。 通信設(shè)備模塊 用于高功率廣播設(shè)備、通信設(shè)備中的功率放大和開關(guān)模塊?？傊?，SUD50P0615LGE3 MOSFET適用于需要P溝道MOSFET進行高功率開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換的各種應(yīng)用場景，提供穩(wěn)定可靠的電流控制和功率轉(zhuǎn)換功能，特別適用于負極電源應(yīng)用。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 P溝道
- 額定電壓(VDS) 60V
- 額定電流(ID) 50A
- 開通電阻(RDS(O 20mΩ@10V, 25mΩ@4.5V
- 閾值電壓(Vth) 1.76V
- 封裝類型 TO252
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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