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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造，致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRLR3110ZPBF-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號(hào)： IRLR3110ZPBF-VB
品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

IRLR3110ZPBF-VB.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

IRLR3110ZPBF (VBE1101N)參數(shù)說(shuō)明：N溝道，100V，70A，導(dǎo)通電阻9mΩ@10V，20mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓3.2V，封裝：TO252。


應(yīng)用簡(jiǎn)介：IRLR3110ZPBF適用于高功率N溝道MOSFET，常見(jiàn)于電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)控制和逆變器等領(lǐng)域模塊。
其極低的導(dǎo)通電阻使其在低電壓降場(chǎng)景中性能卓越。
優(yōu)勢(shì)與適用領(lǐng)域：適用于高功率應(yīng)用，如電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)控制和逆變器等模塊。
極低的導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗，提高效率。
 

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