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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造，致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SI2333CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號(hào)： SI2333CDS-T1-GE3-VB
品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

SI2333CDS-T1-GE3-VB.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SI2333CDS-T1-GE3 參數(shù)：P溝道, -20V, -4A, RDS(ON) 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V), -0.81Vth(V), SOT23


應(yīng)用簡(jiǎn)介：SI2333CDS-T1-GE3是一款適用于低電壓、高電流的P溝道MOSFET。
其低導(dǎo)通電阻和小封裝適合高效能、小型化的電路。
常用于電池供電設(shè)備、小型電子設(shè)備等。
優(yōu)勢(shì)：低導(dǎo)通電阻：有助于高效能電流開(kāi)關(guān)控制。
適用于低電壓：適用于低電壓操作，如電池供電設(shè)備。
適用模塊：SI2333CDS-T1-GE3適用于需要低電壓、高電流開(kāi)關(guān)控制的模塊，如電池供電的小型設(shè)備、移動(dòng)設(shè)備等。
 

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