型號：NTD3055L170T4G-VB
絲印：VBE1695
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 類型：N溝道
- 最大耐壓：60V
- 最大電流：18A
- 靜態(tài)開啟電阻 (RDS(ON))：73mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓 (Vgs)：20V (±V)
- 閾值電壓 (Vth)：2V
- 封裝類型：TO252

應(yīng)用簡介：
NTD3055L170T4G-VB是一款N溝道MOSFET，適用于多種電子應(yīng)用，以下是一些可能的應(yīng)用領(lǐng)域：

1. 電源模塊：這款MOSFET可用于電源模塊中的功率開關(guān)，幫助提高電源管理的效率，適用于便攜式設(shè)備、嵌入式系統(tǒng)和電源逆變器。

2. DC-DC轉(zhuǎn)換器：NTD3055L170T4G-VB可以用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中，將一個電壓轉(zhuǎn)換成另一個電壓，適用于電池驅(qū)動的設(shè)備、電子終端和通信設(shè)備。

3. 電池管理：它還可以用于電池管理系統(tǒng)中，控制電池的充電和放電，確保電池的安全和性能。

4. 電機(jī)驅(qū)動：NTD3055L170T4G-VB可用于電機(jī)驅(qū)動電路，如電機(jī)控制器和電動工具，以實現(xiàn)高效的電機(jī)運(yùn)行。

5. 汽車電子：由于其高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻，這種MOSFET也適用于汽車電子系統(tǒng)，如車輛電源管理和驅(qū)動控制。

NTD3055L170T4G-VB的特性使其適用于多種中等功率電子應(yīng)用，尤其是在需要高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻的情況下。然而，在選擇和使用該器件時，仍然需要詳細(xì)了解其數(shù)據(jù)手冊和性能參數(shù)，以確保其滿足特定應(yīng)用的要求。