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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NVD5802NT4G-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): NVD5802NT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 1.6mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NVD5802NT4G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

NVD5802NT4G-VB是一款高效的N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為電源管理和開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件以其出色的導(dǎo)通電阻和高漏電流承載能力而聞名,VDS為40V,適合用于高電壓環(huán)境。憑借其Trench技術(shù),NVD5802NT4G-VB能夠在大電流下保持低功耗,提升整體系統(tǒng)效率。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜰通道
- **VDS(漏源電壓)**:40V
- **VGS(柵源電壓)**:±20V
- **Vth(閾值電壓)**:3V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:
 - 3mΩ @ VGS = 4.5V
 - 1.6mΩ @ VGS = 10V
- **ID(連續(xù)漏電流)**:120A
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

NVD5802NT4G-VB在多個(gè)領(lǐng)域中表現(xiàn)出色,以下是一些具體的應(yīng)用示例:

1. **開關(guān)電源**:該MOSFET在高效開關(guān)電源設(shè)計(jì)中起著關(guān)鍵作用,可以作為主要開關(guān)元件,優(yōu)化能量轉(zhuǎn)換效率。

2. **電動(dòng)汽車**:在電動(dòng)汽車的電源管理系統(tǒng)中,NVD5802NT4G-VB能夠支持高電壓和高電流的操作,確保電池和電機(jī)的有效控制。

3. **工業(yè)自動(dòng)化**:在工業(yè)設(shè)備中,該器件常用于電源控制和負(fù)載開關(guān),確保在高負(fù)載條件下的可靠性能。

4. **LED驅(qū)動(dòng)**:在LED照明系統(tǒng)中,NVD5802NT4G-VB可以用于高效的電流調(diào)節(jié),提升系統(tǒng)的整體效能和可靠性。

5. **消費(fèi)電子**:在各種消費(fèi)電子產(chǎn)品中,如智能手機(jī)和便攜式設(shè)備,該MOSFET可以有效地管理電池供電,延長(zhǎng)使用時(shí)間。

憑借其優(yōu)異的性能,NVD5802NT4G-VB成為設(shè)計(jì)工程師在多種應(yīng)用中的理想選擇。

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