--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO263封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號:IRF640NS-VB
絲印:VBL1208N
品牌:VBsemi
參數(shù)說明:
- MOSFET類型:N溝道
- 額定電壓:200V
- 最大電流:40A
- 導通電阻(RDS(ON)):48mΩ @ 10V
- 閾值電壓(Vth):3.3V
- 封裝:TO263

應(yīng)用簡介:
IRF640NS-VB是一款高壓、高電流N溝道MOSFET,適用于需要在高電壓和高電流條件下工作的電子設(shè)備和電路中。它在一些特定領(lǐng)域的模塊中具有廣泛的應(yīng)用。
**應(yīng)用領(lǐng)域和模塊說明:**
1. **電源開關(guān)模塊**:
- 由于其高額定電壓和電流承受能力,IRF640NS-VB適用于電源開關(guān)模塊。
- 可用于開關(guān)電源、電力電子變換器、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域,提供高效的電能轉(zhuǎn)換。
2. **電機驅(qū)動模塊**:
- 該MOSFET的高電流承受能力使其成為電機驅(qū)動模塊的理想選擇。
- 在工業(yè)電機控制、電動汽車電機控制、高性能電機控制系統(tǒng)中用于提高電機的性能和效率。
3. **電源逆變模塊**:
- IRF640NS-VB可用于電源逆變模塊,將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電源。
- 用于太陽能逆變器、工業(yè)逆變器、電網(wǎng)連接逆變器等領(lǐng)域,實現(xiàn)高效的能源轉(zhuǎn)換。
4. **高壓開關(guān)模塊**:
- 在需要高壓開關(guān)控制的應(yīng)用中,如高壓電路保護、電壓穩(wěn)定控制等領(lǐng)域,該MOSFET非常有用。
- 幫助實現(xiàn)高壓電路的可靠和精確控制。
5. **電池管理模塊**:
- IRF640NS-VB可用于電池管理模塊中的電池充電和放電控制。
- 用于電動汽車、太陽能逆變器、工業(yè)UPS等領(lǐng)域,實現(xiàn)高功率電池的安全和高效管理。
總結(jié),IRF640NS-VB是一款高性能N溝道MOSFET,具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,包括電源、電機驅(qū)動、電源逆變、高壓開關(guān)和電池管理等多個領(lǐng)域的模塊。其高額定電壓、高電流承受能力和高性能特性使其成為各種高電壓和高功率電子設(shè)備和系統(tǒng)的重要組成部分,有助于提高效率和性能。
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