--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 SOT23-6封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號:FDC658AP-VB
絲?。篤B8338
品牌:VBsemi
參數(shù)說明:
- P溝道
- 額定電壓:-30V
- 最大電流:-4.8A
- RDS(ON):49mΩ @ 10V, 54mΩ @ 4.5V
- 門源電壓(Vgs)范圍:±20V
- 閾值電壓(Vth)范圍:-1~-3V
- 封裝:SOT23-6

應用簡介:
FDC658AP-VB是一款P溝道MOSFET,適用于負向電壓應用。它具有低通態(tài)電阻和適中的電流承受能力,適合多種負向電壓電子設(shè)備。
應用領(lǐng)域:
1. **電源逆變器**:FDC658AP-VB可用于電源逆變器模塊,將負向電壓轉(zhuǎn)換為正向電壓,適用于太陽能逆變器和電力系統(tǒng)。
2. **電源管理**:在需要負向電壓管理的應用中,它可以用于電源開關(guān)和電池保護,例如在實驗室設(shè)備中。
3. **電池充電**:可用于負向電壓電池充電電路,控制電池充電和放電。
4. **電源開關(guān)**:在負向電壓電源開關(guān)模塊中使用,提供高效率的電源管理。
總之,F(xiàn)DC658AP-VB適用于負向電壓應用,包括電源逆變器、電源管理、電池充電和電源開關(guān)等領(lǐng)域。
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