--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 SC70-3封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**WNM2021-VB 詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:**
**參數(shù)說明:**
- 封裝:SC70-3
- 溝道類型:N-Channel
- 額定電壓(VDS):20V
- 額定電流(ID):4A
- RDS(ON):45mΩ @ VGS=10V, VGS=12V
- 門源電壓閾值(Vth):1~3V
**應(yīng)用簡介:**
WNM2021-VB是一款SC70-3封裝的N-Channel MOSFET,具有低電壓和低導(dǎo)通電阻的特點,適用于各種便攜式電子設(shè)備和低功耗應(yīng)用。
**主要應(yīng)用領(lǐng)域模塊:**
1. **電源管理模塊:** WNM2021-VB可用于便攜式設(shè)備中的電源管理模塊,實現(xiàn)高效的電源開關(guān)控制,降低功耗。
2. **電池保護模塊:** 在移動設(shè)備中,WNM2021-VB可用于電池保護電路,確保電池充電和放電過程中的安全和穩(wěn)定。
3. **信號開關(guān)模塊:** 由于其低阻態(tài)時的導(dǎo)通電阻,可用于實現(xiàn)在低電壓條件下的信號開關(guān),提高信號傳輸?shù)男省?/p>
**作用:**
- 提供可靠的電源開關(guān)控制,降低功耗。
- 用于電池管理,確保電池安全和穩(wěn)定工作。
- 在信號開關(guān)中,提供低阻態(tài)時的導(dǎo)通,增加信號傳輸效率。
**使用注意事項:**
1. **電壓限制:** 確保在規(guī)定的電壓范圍內(nèi)操作,不要超過最大額定電壓(20V)。
2. **電流限制:** 不要超過最大允許電流(4A),以避免過熱和損壞。
3. **靜電防護:** 在操作過程中采取靜電防護措施,以免損壞敏感的MOSFET器件。
4. **門源電壓:** 注意門源電壓(Vth)的適用范圍,確保在規(guī)定范圍內(nèi)正常工作。
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