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在半導(dǎo)體制造中，3納米工藝是繼5納米MOSFET 技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后的下一個(gè)芯片縮小。截至2019年，三星和臺(tái)積電已宣布計(jì)劃將3 nm 半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)投入商業(yè)生產(chǎn)。它基于GAAFET（全能柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管）技術(shù)，這是一種多柵極MOSFET技術(shù)。