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3nm+關(guān)注3人關(guān)注

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在半導(dǎo)體制造中,3納米工藝是繼5納米MOSFET 技術(shù)節(jié)點之后的下一個芯片縮小。截至2019年,三星和臺積電已宣布計劃將3 nm 半導(dǎo)體節(jié)點投入商業(yè)生產(chǎn)。它基于GAAFET(全能柵極場效應(yīng)晶體管)技術(shù),這是一種多柵極MOSFET技術(shù)。