標(biāo)簽 > 3nm
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在半導(dǎo)體制造中,3納米工藝是繼5納米MOSFET 技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后的下一個(gè)芯片縮小。截至2019年,三星和臺(tái)積電已宣布計(jì)劃將3 nm 半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)投入商業(yè)生產(chǎn)。它基于GAAFET(全能柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管)技術(shù),這是一種多柵極MOSFET技術(shù)。
2.4 GHz 高效無(wú)線 LAN 前端 適用于 WLAN 和藍(lán)牙?應(yīng)用的 2.4 2.4 GHz 前端 700 / 800 / 900MHZ 0 用于四頻 GSM / EDGE 的 Tx 用于四頻 GSM / GPRS / ED Tx-Rx iPAC FEM 雙頻 GS Tx-Rx iPAC? FEM 雙頻 G 用于 LTE / EUTRAN 頻段 V 用于 LTE / EUTRAN 頻段 V WCDMA / HSDPA / HSUP 前端模塊 WCDMA/HSDPA
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