標簽 > 3nm
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在半導(dǎo)體制造中,3納米工藝是繼5納米MOSFET 技術(shù)節(jié)點之后的下一個芯片縮小。截至2019年,三星和臺積電已宣布計劃將3 nm 半導(dǎo)體節(jié)點投入商業(yè)生產(chǎn)。它基于GAAFET(全能柵極場效應(yīng)晶體管)技術(shù),這是一種多柵極MOSFET技術(shù)。
具有旁路模式的 40 MHz 至 1 G 中帶 1805 至 2170 MHz 低 850 至 920 MHz、19 dBm 700 至 800 MHz、19 dBm 2110 至 2170 MHz 線性功率 851 至 894 MHz 線性功率放大 758 至 803 MHz 線性功率放大 1930 至 1995 MHz 線性功率 1805 至 1880 MHz 高效 4 800 至 900 MHz 高效 4 W 5 GHz、23dBm 功率放大器,帶功 高功率 ( 19 dBm) 802.11
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