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與平面工藝相比,F(xiàn)inFET的復雜性一般會導致更加昂貴的制造工藝,F(xiàn)inFET降低了工作電壓,提高了晶體管效率,對靜態(tài)功耗(線性)和動態(tài)功耗(二次方)都有積極作用??晒?jié)省高達50%的功耗。性能也更高——在0.7V上,性能(吞吐量)比平面工藝高37%。
SkyLiTE? Tx-Rx 前端模塊, 用于四頻 GSM/GPRS/EDGE 的 SkyLiTE? Tx-Rx 前端模塊, 用于四頻 GSM/GPRS/EDGE 的 SkyLiTE? Tx-Rx FEM 用 用于四頻 GSM/GPRS/EDGE 的 Tx-Rx 前端模塊,用于四頻 GSM/ 5 GHz,802.11n/ac 前端模 雙頻 802.11a/b/g/n/ac 5 GHz,802.11ac 前端模塊 雙頻 802.11a/g/n/ac 無線 低噪聲放大器前端模塊,帶有 BDS/GP
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