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氮化鎵 （GaN）屬第三代半導體材料。禁帶寬度在T=300K時為3.2~3.3eV，晶格常數(shù)為0.452nm。轉(zhuǎn)換器是指將一種信號轉(zhuǎn)換成另一種信號的裝置。