標(biāo)簽 > gan-on-si
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GaN-on-Si主要是指硅基氮化硅,包括AIN、Ga2O3、GaSb、InSb 、Diamond特性類似的新一代材料,應(yīng)用領(lǐng)域包括Laser Diode& LED在內(nèi)的Opto-electronics·Photonics、Power Device(功率元件)和RF Device(射頻元件)等。
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