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LMG5200器件集成了 80V、10A 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 半橋功率級(jí)，采用增強(qiáng)模式氮化鎵 （GaN） FET 提供了一套集成功率級(jí)解決方案，該器件配有用戶友好型接口且更為出色，采用半橋配置的同一高頻 GaN FET 驅(qū)動(dòng)器提供驅(qū)動(dòng)。

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