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PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)（MOS）晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，源極上加有足夠的正電壓（柵極接地）時，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。