4.1芯片介紹

　　SA7527是一個(gè)簡(jiǎn)單而且高效的功率因子校正芯片。此電路適用于電子鎮(zhèn)流器和所需體積小、功耗低、外圍器件少的高密度電源。

　　4.2控制方法的分析

　　控制電路如圖3所示。該控制電路是峰值電流控制模式，當(dāng)功率管Q1導(dǎo)通時(shí)，二極管D6，D7截止，變壓器T1的原邊電感電流線性上升，當(dāng)電流上升到乘法器輸出電流基準(zhǔn)時(shí)關(guān)斷功率管Q1;當(dāng)功率管Q1關(guān)斷時(shí)，二極管D6，D7導(dǎo)通，電感電流從峰值開始線性下降，一旦電感電流降到零時(shí)，被零電流檢測(cè)電阻檢測(cè)到，功率管Q1再次導(dǎo)通，開始一個(gè)新的開關(guān)周期，如此反復(fù)。

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　　圖3 控制電路

　　4.3零電流檢測(cè)電阻的設(shè)計(jì)

　　零電流檢測(cè)端外圍電路如圖4所示。MOSFET功率管利用零電流檢測(cè)器導(dǎo)通，并且在峰值電感電流達(dá)到由乘法器輸出設(shè)定的門限電平時(shí)關(guān)斷。

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　　圖4 零電流檢測(cè)端外圍電路

　　一旦電感電流沿向下的斜坡降至零電平，SA7527的零電流檢測(cè)器通過(guò)連接于5腳的變壓器副繞組電壓極性的反轉(zhuǎn)進(jìn)行檢測(cè)，SA7527的7腳產(chǎn)生輸出，驅(qū)動(dòng)MOSFET功率管又開始導(dǎo)通。當(dāng)電感電流沿向上的斜坡從零增加到峰值之后，MOSFET功率管則開始關(guān)斷。直到電感電流降至零之前，MOSFET功率管一直截止。由芯片介紹資料可知，零電流檢測(cè)端電流最大不能超過(guò)3mA，因此零電流檢測(cè)電阻R25由下式來(lái)確定。

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　　式中，Vcc為芯片供電電壓。

　　4.4輸入電壓檢測(cè)電阻的設(shè)計(jì)

　　乘法器外圍電路如圖5所示。交流輸入經(jīng)整流后得到一個(gè)半波正弦形狀的電壓波形，為了使輸入電流較好地跟蹤輸入電壓波形，我們要在交流輸入整流后進(jìn)行電壓采樣，經(jīng)電阻R21和R22分壓后，電壓約縮小100倍輸入到SA7527的3腳，在電阻R2并聯(lián)一個(gè)電容C15除整流后的電壓紋波。由芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)可知，乘法器輸入端3腳電壓在3.8V以下可以保證較好的功率因數(shù)校正效果。

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　　圖5 乘法器外圍電路

　　因此應(yīng)滿足3腳的最大輸入電壓不超過(guò)3.8V，即：

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　　4.5電流感應(yīng)電阻的設(shè)計(jì)

　　電流檢測(cè)外圍電路如圖6所示。

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　　圖6 電流檢測(cè)外圍電路