IGZO屏幕優(yōu)勢(shì)很多么？

　　相比于傳統(tǒng)非晶硅a-Si材料，IGZO載流子遷移率更高，大約為10cm2/Vs。所以更少的材料就可以滿(mǎn)足要求，使管子尺寸更小，減少像素面積，使設(shè)備更輕薄；全透明，對(duì)可見(jiàn)光不敏感，能夠大大增加元件的開(kāi)口率，提高亮度，降低功耗。另外，工藝溫度比a-Si低，而且具有很好的彎曲性能，能夠很好地配合柔性OLED。

　　相比于低溫多晶硅LTPS材料，IGZO 沒(méi)有屏幕尺寸的限制，小尺寸也可以做，大尺寸一樣可行，而LTPS難以生產(chǎn)大尺寸高分辨率的面板。另外，在生產(chǎn)方面，原有的非晶硅面板生產(chǎn)線(xiàn)要改造為L(zhǎng)TPS生產(chǎn)線(xiàn)，需要較為復(fù)雜的過(guò)程，需要的資金也很多，而改造成IGZO面板只是對(duì)現(xiàn)有的非晶硅面板生產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)行改良，要容易很多，且不限制生產(chǎn)線(xiàn)的世代數(shù)。

　?。?）由于漏電流小，畫(huà)無(wú)更新時(shí)可以切斷電流，可以進(jìn)一步提高省電效果。（2）分辨率更高了，與使用a-Si的傳統(tǒng)液晶屏幕相比，可在保證透過(guò)光量的同時(shí)提高單位面積的像素?cái)?shù)，根本原因還是IGZO的遷移率率更高，可以縮小體積，這樣分辨率就提升了。（3）使觸摸屏更靈敏?？刹捎瞄g歇驅(qū)動(dòng)方式，降低液晶顯示器驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生的噪聲對(duì)觸摸屏檢測(cè)電路造成的影響，從而實(shí)現(xiàn)了更高的觸摸靈敏度。

　　不同半導(dǎo)體材料特性對(duì)比

　　IGZO工作原理和結(jié)構(gòu)模型都有哪些？

　　非晶金屬氧化物IGZO由In2O3、Ga2O3和ZnO構(gòu)成，禁帶寬度在3.5eV左右，是一種N型半導(dǎo)體材料。In2O3中的In3+可以形成5S電子軌道，有力于載流子的高速傳輸，電子的遷移率在875px2/V·s；Ga2O3有很強(qiáng)的離子鍵，可以抑制O空位的產(chǎn)生；ZnO中的Zn2+可以形成穩(wěn)定西面體結(jié)構(gòu)，可以使金屬氧化物IGZO形成穩(wěn)定的非晶結(jié)構(gòu)。因此，金屬氧化物IGZO適用于制作高遷移率薄膜晶體管。材料特性總結(jié)為4點(diǎn)：高遷移率；易于低溫濺射工藝；同質(zhì)（沒(méi)有晶界）；光學(xué)透明。

　　金屬氧化物晶相與元素比例對(duì)于遷移率的影響

　　目前金屬氧化物IGZO-TFT的結(jié)構(gòu)主要有刻蝕阻擋型（Etch Stop Type）、背溝道刻蝕型（Back Channel Etch Type）和共面型（Coplanar Type）三種類(lèi)型。按制作工藝可分為5Mask、6Mask、7Mask。下表簡(jiǎn)列了不同Mask數(shù)結(jié)構(gòu)的比較。

　　常見(jiàn)IGZOTFT結(jié)構(gòu)