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- “新一代顯示器”發(fā)展的關鍵 詳解IGZO技術

2016年04月19日 16:02 E視角 作者:小E 用戶評論(0

  IGZO屏幕技術障礙、缺點及解決方案

  IGZO存在著一些本質上的缺點。首先是新型材料普遍存在的長時間工作可靠度與穩(wěn)定性問題,壽命短。另外,IGZO對水以及氧都相當敏感,所以必須在它表面鍍上一層保護層,來隔離空氣中的氧氣和水蒸氣。IGZO并不是完美的材料,但是目前來講,它確實是屏幕的最佳的選擇。IGZO TFT的工作特性對周圍氣氛很敏感,如氧氣,濕氣,氫的含量等??梢赃@樣解釋,在還原氛圍中退火會形成氧缺陷,或者在包含H2的氣氛中退火摻入的H,或者在低溫下離子注入都很容易的增加半導體導電性。氧缺陷和H摻雜充當了淺施主,同時產生移動電子。這個問題可以解決,通過使用頂保護層(鈍化層)包含SiOx,SiNx或者類似的東西,可以隔絕O-,H2O-,或者H-相關的分子的滲透和擴散。另一方面,對于還原氣氛與氫的這種敏感可以被利用,來形成改善的源漏極接觸。

  另外a-IGZOTFT的光響應。亞帶隙光響應源于VBM上的亞帶隙缺陷態(tài)密度(DOS)。因此,亞帶隙光響應可以通過移除深DOS來解決,它的存在可以在一定程度上通過選擇合適的沉積條件來控制。

  雖然金屬氧化物相對于非晶硅和低溫多晶硅具有很多優(yōu)勢,但是其也存在一些不足。圖4為IGZOTFT在高溫偏壓穩(wěn)定性測試過程中,其特性變化情況??梢钥闯鲈谪撈珘合翴GZO TFT Vth變化幅度很大,最大達到10V。在顯示過程中,TFT大部分時間是處于關閉的狀態(tài),所以Vth漂移是TFT不穩(wěn)定的主要特征。TFT特性的長期穩(wěn)定性,真正源頭來自持續(xù)偏壓下的所形成的受主型電子陷阱。另外也有指出不穩(wěn)定性部分原因來源于O-,H2O-相關的分子的吸附和解吸,而合適的鈍化層的使用可以改善穩(wěn)定性。

  IGZO TFT在偏壓可靠性測試中轉移特性曲線變化情況(a)Vgs=35V,溫度60℃(b)Vgs=-35V,溫度60℃, Vds=10V

  除了柵極負向偏壓會對TFT特性產生影響,光照是另外一個不可忽略因素。如下圖所示為IGZOTFT在無光照以及光照條件下,TFT轉移曲線變化情況,可以看出隨著光強的增加,Vth表現為向負向移動。

  溝道在光照下轉移特性曲線變化情況

  為什么oxide TFT適合大尺寸超高清顯示面板

  Oxide TFT是一種薄膜晶體管,比普通的非晶硅(a-Si)TFT電子遷移率(電子移動的速率)快幾十倍,Oxide TFT可提高液晶面板像素的透過率,較易實現高精細化、高解析度和更大尺寸。

  目前,大尺寸面板普遍采用a-SiTFT驅動。隨著顯示屏分辨率越高畫面尺寸越大,Gate Line數目和Gate Line 長度會增加,Gate是將輸入的信號依次驅動,因此會引發(fā)信號傳達延誤等問題,且a-Si TFT遷移率很低,導致像素點無法在有限的時間內充滿電,從而無法正常顯示。

  一般來講,實現55inch 4K規(guī)格以上的顯示面板,一方面需采用銅制程降低RC延遲,另一方面需采用遷移率更高的Oxide TFT。

  現在,大部分家庭都有42inch以上的液晶電視,但是如果你走近電視摸一摸它的屏幕,是不是感覺很熱?發(fā)熱是合理的,因為它采用a-Si TFT,TFT尺寸必須做大才能驅動。然而TFT尺寸大了就會影響像素透過率,要達到一定亮度,必須提高背光源的功率,所以電視機就會發(fā)熱。但是如果采用Oxide TFT,功率會下降很多,發(fā)熱也就不會那么嚴重了。

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( 發(fā)表人:林錦翔 )

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