6.3.5.3 界面氮化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
6.3.5.3 界面氮化
6.3.5 氧化硅/SiC 界面特性及其改進(jìn)方法
6.3 氧化及氧化硅/SiC 界面特性
第６章碳化硅器件工藝
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
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發(fā)表于 03-12 11:31
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