6.3.5.2 氧化后退火
6.3.5 氧化硅/SiC 界面特性及其改進方法
6.3 氧化及氧化硅/SiC 界面特性
第6章碳化硅器件工藝
《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》


聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
SiC
+關注
關注
32文章
3633瀏覽量
68870
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
[新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向
一、引言
碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導體材料的代表,在功率器件、射頻器件等領域發(fā)揮著關鍵作用??偤穸绕睿═TV)是衡量碳化硅襯底及外延片質量的重要指標,其精確測量對保障
Wolfspeed碳化硅技術實現大規(guī)模商用
的專利申請量就增長了約 200%。Wolfspeed 強大的知識產權組合支撐著材料和器件方面的關鍵突破,這些突破使得碳化硅 (SiC) 技術得以實現大規(guī)模商用。
【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數的關聯性研究
一、引言
碳化硅外延片作為功率半導體器件的核心材料,其總厚度偏差(TTV)是衡量產品質量的關鍵指標,直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響,其中生長工藝參
碳化硅功率器件的基本特性和主要類型
隨著全球對能源效率和可持續(xù)發(fā)展的關注日益加深,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的半導體材料,正在快速崛起。SiC以其優(yōu)異的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和抗輻射性,成為現代電力電子技術中不可或缺的重要組成部分。本文將探討
碳化硅器件的應用優(yōu)勢
碳化硅是第三代半導體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結構穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統材料下
碳化硅功率器件有哪些特點
隨著全球對綠色能源和高效能電子設備的需求不斷增加,寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領域的應用不斷拓展,成為現代電子
碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢
在現代電子技術飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領域的熱門選
SiC碳化硅二極管公司成為國產碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象
結合國產碳化硅功率半導體市場的競爭格局和技術發(fā)展趨勢,SiC碳化硅二極管公司已經成為國產碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象,比如2024已經有
碳化硅功率器件的特性和應用
隨著全球能源需求的快速增長和對可再生能源的重視,電力電子技術正經歷著前所未有的變革。在這一過程中,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的寬禁帶半導體材料,憑借其優(yōu)越的性能,正在逐步取代傳統硅(Si
國內碳化硅功率器件設計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結果
器件設計公司正在加速被市場拋棄:碳化硅功率器件設計公司出現倒閉潮,這是是市場集中化的必然結果。結合英飛凌、安森美等企業(yè)的業(yè)務動態(tài),可從以下維度分析這一趨勢: 1. 技術壁壘與產能競賽:
SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測試方法介紹
碳化硅革新電力電子,以下是關于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細介紹,結合其技術原理、關鍵步驟與應用價值,助力電力電子領域的革新。
碳化硅功率器件的散熱方法
產生大量熱量,如果散熱不良,會導致器件性能下降甚至失效。因此,高效的散熱方法對于確保碳化硅功率器件的穩(wěn)定運行至關重要。本文將詳細介紹碳化硅功率器件
碳化硅功率器件的封裝技術解析
碳化硅(SiC)功率器件因其低內阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統中得到了廣泛關注和應用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝技術至關重要。本文將詳細解析
6.3.5.2 氧化后退火∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
評論