動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 14:42

  CG2H40035F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40035F 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64%

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 14:36

  CG2H40035P高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40035P 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64%

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-22 22:19

  C3M0065100J碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0065100J 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-22 21:45

  C3M0280090J碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0280090J 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-22 21:36

  C3M0120090D碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0120090D 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-22 21:24

  C3M0120090J碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0120090J 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-22 10:54

  E3M0120090J碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號(hào)：E3M0120090J 漏源電壓:：900V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-22 10:42

  C3M0065090J碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0065090J 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-22 10:28

  C3M0065090D碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0065090D 漏源電壓：900V 柵極 源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-22 10:16

  C3M0030090K碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0030090K 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓靜動(dòng)：-8/+19V

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