動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 15:38
CG2H40010F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40010F-AMP 頻率：高達(dá) 8 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 18 dB 小信號(hào)增益 增益：4.0 GHz 時(shí) 16 dB 小信號(hào)增益391瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 15:35
CG2H40010P高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40010P 頻率：高達(dá) 8 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 18 dB 小信號(hào)增益 增益：4.0 GHz 時(shí) 16 dB 小信號(hào)增益257瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 15:28
CG2H40010F高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40010F 頻率：高達(dá) 8 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 18 dB 小信號(hào)增益 增益：4.0 GHz 時(shí) 16 dB 小信號(hào)增益882瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 15:08
CGH60008D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：CGH60008D-GP4 8 W 典型 PSA：8 W 典型 PSAT @ 28 V 操作 5 W 典型 PSA：5 W 典型 PSAT @ 20 V 操作 耐壓性：高擊穿電壓457瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 14:36
CGHV1J006D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：CGHV1J006D-GP4 增益：17分貝典型。10 GHz 時(shí)的小信號(hào)增益 PAE：60% 典型值。10 GHz 時(shí)的 PAE Psat：6 W 典型 Psat288瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 14:16
CGH40006P-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板
產(chǎn)品型號(hào)：CGH40006P-AMP 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 13 dB 小信號(hào)增益 增益：6.0 GHz 時(shí) 11 dB 小信號(hào)增益263瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 14:14
CGH40006P氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：CGH40006P 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 13 dB 小信號(hào)增益 增益：6.0 GHz 時(shí) 11 dB 小信號(hào)增益623瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 12:02
CGH40006S-AMP1高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板
產(chǎn)品型號(hào)：CGH40006S-AMP1 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 13 dB 小信號(hào)增益 增益：6.0 GHz 時(shí) 11 dB 小信號(hào)增益207瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 11:55
CGH40006S高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：CGH40006S 頻段：高達(dá) 6 GHz 增益：2.0 GHz 時(shí) 13 dB 小信號(hào)增益 增益：6.0 GHz 時(shí) 11 dB 小信號(hào)增益404瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 11:14
CGHV1F006S-AMP3高電子遷移率晶體管 (HEMT)X波段測(cè)試板
產(chǎn)品型號(hào)：CGHV1F006S-AMP3 頻段：高達(dá) 15 GHz 的操作 輸出功率：8 W 典型輸出功率 增益：6.0 GHz 時(shí) 17 dB 增益191瀏覽量
