動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-21 16:32

  C3M0045065J1碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0045065J1 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：限制：132A

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-21 16:29

  PC3M0045065L碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號(hào)：PC3M0045065L 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：132A

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-21 16:01

  C3M0025065K碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0025065K 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：251A

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-21 11:41

  C3M0015065K碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0015065K 漏源電壓：650V 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流，脈沖寬：418A

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-21 11:12

  C3M0015065D碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號(hào)：C3M0015065D 漏源電壓：650V 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流，脈沖寬：418A

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-20 11:44

  CG2H40025F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40025F-AMP 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 17 dB 小信號(hào)增益 增益：4.0 GHz 時(shí) 15 dB 小信號(hào)增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-20 11:42

  CG2H40025P高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40025P 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 17 dB 小信號(hào)增益 增益：4.0 GHz 時(shí) 15 dB 小信號(hào)增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-20 11:40

  CG2H40025F高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40025F 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 17 dB 小信號(hào)增益 增益：4.0 GHz 時(shí) 15 dB 小信號(hào)增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-20 11:16

  CG2H30070F-AMP2高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CG2H30070F-AMP2 應(yīng)用電路：0.5 – 3.0 GHz 應(yīng)用電路 功率：28 V 時(shí) POUT 典型值為 85 W 增益：10分貝功率增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-20 11:13

  CG2H30070F高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CG2H30070F 應(yīng)用電路：0.5 – 3.0 GHz 應(yīng)用電路 功率：28 V 時(shí) POUT 典型值為 85 W 增益：10分貝功率增益

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