C3M0120090J擴展了其在碳化硅 (SiC) 技術(shù)低電感分立封裝方面的領(lǐng)先地位，具有寬漏極和源極之間的爬電距離和間隙距離 (~8mm)。充分利用最新 MOSFET 芯片的高頻能力，同時提供適用于高污染環(huán)境的額外電氣隔離。獨立的 Kelvin 源極引腳降低了電感；可將開關(guān)損耗降低多達 30%。設(shè)計人員可以通過從基于硅的轉(zhuǎn)變來減少組件數(shù)量；改進的開關(guān)性能使三級拓撲變?yōu)楦唵蔚膬杉壨負涑蔀榭赡堋?/p>
好處
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率
特征
? 新的 C3M SiC MOSFET 技術(shù)
? 高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻
? 低電容的高速開關(guān)
? 帶有驅(qū)動源的新型低阻抗封裝
? 具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素，符合 RoHS 標準
? 漏極和源極之間的爬電距離寬 (~7mm)
應(yīng)用
? 再生能源
? 電動汽車電池充電器
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? 開關(guān)模式電源
? 燈光
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