動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2026-02-04 14:06

  AI服務器SSD如何選擇最合適的PLP電容？全面解析導電高分子鉭電解電容與固液混合鋁電解電容

  

  在AI服務器中，SSD作為數(shù)據(jù)存儲與調用的核心部件，其性能直接影響訓練與推理效率。隨著PCIe5.0/6.0接口的普及，SSD的功耗與瞬時電流需求大幅提升，掉電保護（PLP）電容的選型成為系統(tǒng)穩(wěn)定性的關鍵。尤其在高溫、高負載、7×24小時連續(xù)運行的工況下，電容需同時滿足低ESR、高容量密度、長壽命與高溫穩(wěn)定性等多項指標，否則可能導致數(shù)據(jù)丟失、固件損壞或系統(tǒng)宕

  SSD 電容

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• 發(fā)布了文章 2026-01-23 10:13

  AI算力背后的隱形英雄：Φ30×70mm 450V/1400µF、105℃/3000H的國產高壓電容如何破解服務器電源三大難題

  

  在AI算力爆發(fā)的當下，數(shù)據(jù)中心正經歷著前所未有的升級壓力。作為AI服務器的“動力心臟”，AC-DC前端電源設計面臨著前所未有的挑戰(zhàn)：如何在有限的空間內實現(xiàn)更高的功率密度、更長的使用壽命和更強的可靠性？這不僅是技術問題，更是決定AI算力能否持續(xù)穩(wěn)定輸出的關鍵。永銘電子（YMIN）作為國內資深的電容器解決方案提供商，深耕高壓電容領域多年，針對AI服務器電源的特殊

  AI算力 數(shù)據(jù)中心 服務器電源

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• 發(fā)布了文章 2026-01-15 14:00

  AI服務器機柜BBU的毫秒級瞬態(tài)功率缺口：為什么“混合型超級電容（LIC）+BBU”更合適？

  

  AI服務器機柜在訓練/推理負載快速切換時，會出現(xiàn)毫秒級（典型1–50ms）的功率突變與直流母線（DCBus）掉壓風險。NVIDIA在介紹GB300NVL72電源架設計時提到，其電源架內集成能量存儲元件并配合控制器，實現(xiàn)機柜級的快速瞬態(tài)功率平滑（見參考資料[1]）。工程實踐中，用“混合型超級電容（LIC）+BBU（BatteryBackupUnit，備用電源單

  BBU 服務器 超級電容

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• 發(fā)布了文章 2026-01-15 13:59

  應用端需求波動導致鉭/疊層電容成本失控？固態(tài)電容及固液混合電容如何成為更可控的方案

  

  近期不少工程團隊反饋：鉭電容、疊層固態(tài)電容出現(xiàn)不同程度的漲價、交期拉長、供貨波動。一個常見的背景是：AI服務器需求爆發(fā)式增長帶動高性能電容的需求集中釋放，從而放大了供需緊張與價格波動（基于公開信息與行業(yè)現(xiàn)象判斷，具體漲幅與交期以供應商/項目為準）。我們需要關注的是——當你在自己的項目（消費電子、工業(yè)控制、汽車電子、電源模塊等）中遇到鉭/疊層的成本與交付壓力時

  混合電容器 電容

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• 發(fā)布了文章 2026-01-09 14:15

  1U AI 服務器電源設計的突破：電容小型化如何不翻車？

  

  隨著AI算力需求不斷增長，服務器電源的設計面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。在1U高度的服務器電源設計中，如何滿足高功率密度、高負載穩(wěn)定性，并且在有限的空間內做到小型化，一直是工程師們亟待解決的問題。1U電源設計：電容成為小型化的核心限制因素在1UAI服務器設計的高功率密度電源方案中，電容器往往是最難壓縮的元件之一。即便GaN等新型功率器件不斷提高開關頻率與效率，服務器

  AI算力 服務器 電源設計

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• 發(fā)布了文章 2026-01-09 14:15

  設計下一代AI SSD，如何選對PLP電容？

  

  隨著OpenAI掀起的大模型浪潮，以英偉達Blackwell架構為代表的新型AI數(shù)據(jù)中心正處于爆發(fā)式部署階段。這種全球規(guī)模的算力基礎設施擴容，對PCIe5.0/6.0企業(yè)級SSD的吞吐性能、極端環(huán)境穩(wěn)定性及數(shù)據(jù)安全性提出了前所未有的嚴苛要求。在萬兆級持續(xù)讀寫的高負載環(huán)境中，斷電保護(PowerLossProtection,PLP)電路作為數(shù)據(jù)存儲的最后一道防

  AI SSD 數(shù)據(jù)中心 電容

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• 發(fā)布了文章 2026-01-09 14:15

  破解AI服務器CPU/GPU供電困局：納秒級瞬態(tài)如何穩(wěn)壓？MHz噪聲怎樣濾除？

  

  本文摘要：AI芯片的算力狂奔，正將其供電網絡推向極限。核心電壓降至0.8-1.2V，單相電流沖擊達百安級，導致VRM輸出端出現(xiàn)納秒級（10-100ns）的瞬態(tài)電流缺口與MHz級開關噪聲干擾。傳統(tǒng)電容因ESR高、高頻阻抗大，已成為系統(tǒng)穩(wěn)定的短板，而國際高端方案又存在供應鏈風險。本文解析供電末端三大核心指標，并以永銘MPS系列超低ESR疊層固態(tài)電容（導電性聚合物

  AI服務器 cpu gpu 電網

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• 發(fā)布了文章 2025-12-22 15:37

  為英偉達 H200 提供穩(wěn)定動力：電容如何定義下一代 AI 服務器的可靠性

  

  隨著大模型訓練與推理規(guī)模持續(xù)擴大，AI加速卡正快速邁入超高功耗、超大電流、超低電壓的新階段。以NVIDIAH200為代表的新一代AIGPU，已經將單卡功耗推升至700W級別，真正的挑戰(zhàn)，正在從“算力本身”轉向系統(tǒng)級供電穩(wěn)定性（PowerDeliveryNetwork,PDN）。在這一背景下，被動元件，尤其是電容器，正在從幕后走向核心位置。H200帶來的三大現(xiàn)

  AI服務器 加速卡 英偉達

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• 發(fā)布了文章 2025-12-22 15:37

  永銘高容量密度固態(tài)電容解決方案：以四大核心優(yōu)勢，破解智能數(shù)碼電源設計困境

  

  不知身為電源工程師的您，是否在調試PD快充適配器、移動電源樣機時，反復遭遇以下場景？滿載時電容發(fā)熱、待機功耗居高不下、PCB空間不夠、濾波容量總覺不足。本文將以永銘VPX/VPT/VP4/NPX系列高容量密度固態(tài)電容為例，結合詳實測試數(shù)據(jù)與典型案例，進行一次深度技術剖析，看它如何系統(tǒng)性解決這些設計痛點。超低ESR根治“發(fā)熱元兇”，從數(shù)據(jù)看溫升優(yōu)化痛點根源：以

  固態(tài)電容 電源設計

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• 發(fā)布了文章 2025-12-16 11:21

  小米三合一充電寶如何在3C認證下實現(xiàn)電容最優(yōu)選型？永銘KCM系列實測數(shù)據(jù)全公開

  

  引言在3C強制認證日益嚴格的背景下，充電寶的設計不再只是“能充電”，而是要在安全、穩(wěn)定、高效之間找到最佳平衡。本文以小米三合一充電寶為例，深度剖析其高壓濾波電解電容電容選型過程中的技術挑戰(zhàn)與永銘KCM系列的解決方案。永銘解決方案與優(yōu)勢早期方案中，充電寶在快充過程中常出現(xiàn)外殼發(fā)燙、系統(tǒng)重啟等問題。用戶反饋集中在“充電時不敢離開”、“擔心爆炸”等安全焦慮。經拆解

  3C認證 小米

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