隨著AI算力需求不斷增長，服務(wù)器電源的設(shè)計面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。在1U高度的服務(wù)器電源設(shè)計中，如何滿足高功率密度、高負(fù)載穩(wěn)定性，并且在有限的空間內(nèi)做到小型化，一直是工程師們亟待解決的問題。

1U電源設(shè)計：電容成為小型化的核心限制因素

在1U AI 服務(wù)器設(shè)計的高功率密度電源方案中，電容器往往是最難壓縮的元件之一。即便GaN等新型功率器件不斷提高開關(guān)頻率與效率，服務(wù)器的體積和散熱空間卻沒有同步放寬。

在這一設(shè)計中，電容不僅僅是配套元件，而是直接決定電源方案能否成功的關(guān)鍵因素。

1. 電容小型化面臨的挑戰(zhàn)

在實際的AI 服務(wù)器電源項目中，工程師通常要面對以下挑戰(zhàn)：

· 功率密度提升

· 電源模塊體積壓縮 50% 以上

· 長期高溫下穩(wěn)定運行，105℃工作環(huán)境

· 高紋波電流承受能力，長期高負(fù)載運行

· 容量衰減可控，保持系統(tǒng)穩(wěn)定性

在這些要求下，電容的尺寸壓縮直接影響整個系統(tǒng)的設(shè)計。更小的電容體積意味著容量和紋波電流能力可能無法同時滿足需求，這給設(shè)計帶來了極大的挑戰(zhàn)。

2.GaN 電源的優(yōu)勢與對電容要求的提升

隨著GaN（氮化鎵）技術(shù)的引入，電源開關(guān)頻率、效率和體積得到了提升，但這也對電容器的性能要求提出了更高的標(biāo)準(zhǔn)。

對于GaN電源而言，電容器不僅需要具備更高的容量密度，還需要承受更大的紋波電流和更長的使用壽命，以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

永銘IDC3系列電容

解決高功率密度電源方案的核心難題

為了應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，永銘電子推出了IDC3系列液態(tài)鋁電解電容，專為GaN AI服務(wù)器電源設(shè)計。這款電容的核心優(yōu)勢是高容量密度與高紋波電流承載能力，能夠在高溫、高負(fù)載的嚴(yán)苛環(huán)境下穩(wěn)定運行，成為高功率密度電源設(shè)計中的“關(guān)鍵一環(huán)”。

產(chǎn)品信息

系列：IDC3

規(guī)格：450V / 1400μF

尺寸：30 × 70 mm

結(jié)構(gòu)形式：牛角型液態(tài)鋁電解電容

1.電容小型化的“底層能力”——容量密度提升70%

IDC3 系列電容在容量密度上的提升讓我們能夠在不增加體積的前提下，提供更高的容量和紋波電流承載能力。與日系同類產(chǎn)品相比，IDC3 系列的容量密度提升了70.7%，從13.64μF/cm3提升到23.29 μF/cm3。這使得電源模塊體積可以縮小約 55%，并且不影響性能穩(wěn)定性。

2.長期高負(fù)載運行中的穩(wěn)定性：紋波電流和高溫壽命

在高負(fù)載、高溫環(huán)境下，電容的穩(wěn)定性至關(guān)重要。IDC3 系列電容能夠承受高紋波電流（19A），有效減少并聯(lián)電容數(shù)量，優(yōu)化電源布局，降低局部熱堆積風(fēng)險。

此外，在 105℃ 的工作溫度下，IDC3的壽命大于3000小時，并且容量衰減控制在8%以內(nèi)，確保在長期運行中仍能維持穩(wěn)定的電源性能。

3.系統(tǒng)級的收益：不僅僅是電容的優(yōu)化

在 納微（Navitas）氮化鎵 AI 服務(wù)器電源方案 中，IDC3 系列電容的引入帶來了以下多方面的改進(jìn)：電源效率提升1%~2%、系統(tǒng)溫升降低約10℃、電源模塊體積大幅縮小。

這些優(yōu)化最終帶來了整個服務(wù)器系統(tǒng)的穩(wěn)定性和長期可靠性，充分證明了電容在高功率密度電源設(shè)計中的核心地位。

結(jié)語：電容在1U AI服務(wù)器電源設(shè)計中的關(guān)鍵作用

在高功率密度與高負(fù)載并存的1U AI 服務(wù)器電源設(shè)計中，電容不僅僅是一個元件，更是決定電源能否長期穩(wěn)定運行的“關(guān)鍵一環(huán)”。

永銘IDC3 系列電容，憑借其優(yōu)越的容量密度、紋波電流承載能力和高溫穩(wěn)定性，成為了AI服務(wù)器電源設(shè)計中的重要助力。