隨著 OpenAI 掀起的大模型浪潮,以英偉達(dá) Blackwell 架構(gòu)為代表的新型 AI 數(shù)據(jù)中心正處于爆發(fā)式部署階段。這種全球規(guī)模的算力基礎(chǔ)設(shè)施擴(kuò)容,對 PCIe 5.0/6.0 企業(yè)級(jí) SSD 的吞吐性能、極端環(huán)境穩(wěn)定性及數(shù)據(jù)安全性提出了前所未有的嚴(yán)苛要求。
在萬兆級(jí)持續(xù)讀寫的高負(fù)載環(huán)境中,斷電保護(hù) (Power Loss Protection, PLP) 電路作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的最后一道防線,正面臨從“工業(yè)級(jí)”向“算力級(jí)”的品質(zhì)躍遷。其核心關(guān)鍵在于PLP 電容 Bank (儲(chǔ)能電容組),該電路直接并聯(lián)在 SSD 控制器與 NAND 閃存的供電輸入端,作為異常掉電時(shí)的緊急“能量水庫” 。
核心挑戰(zhàn):AI負(fù)載對PLP電容的雙重極限要求
在設(shè)計(jì)面向 AI 訓(xùn)練服務(wù)器的下一代超大容量企業(yè)級(jí) SSD (采用 E1.L 或 U.2 形態(tài)) 時(shí),PLP電路設(shè)計(jì)主要面臨兩大維度的挑戰(zhàn):
1. 核心性能挑戰(zhàn):如何在極限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)長效、快速的能量保障?
這一挑戰(zhàn)直接關(guān)系到數(shù)據(jù)在“斷電瞬間”能否被安全保存,包含三個(gè)緊密關(guān)聯(lián)的維度:
容量瓶頸(能量密度):企業(yè)級(jí) SSD 內(nèi)部空間極其緊湊。據(jù)行業(yè)公開資料顯示,許多常規(guī)鋁電解電容方案受限于材料與工藝,在標(biāo)準(zhǔn)尺寸(如12.5×30mm)下的容量有限,難以在既定空間內(nèi)為TB級(jí)數(shù)據(jù)回寫儲(chǔ)備足夠能量。
壽命焦慮(高溫耐受):AI服務(wù)器7×24小時(shí)運(yùn)行,環(huán)境溫度常高于80°C。常規(guī)鋁電解電容在長期高溫下的電解液揮發(fā)與材料老化,可能導(dǎo)致其實(shí)際壽命無法匹配SSD長達(dá)5年以上的質(zhì)保要求,帶來隱性故障風(fēng)險(xiǎn)。
響應(yīng)遲滯(耐沖擊):萬兆讀寫下的掉電保護(hù)窗口僅毫秒級(jí)。若常規(guī)鋁電解電容的等效串聯(lián)電阻 (ESR) 偏高,其放電速度將無法滿足瞬時(shí)峰值電流需求,直接導(dǎo)致回寫過程中斷與數(shù)據(jù)損壞。
2. 環(huán)境適應(yīng)性挑戰(zhàn):如何突破溫度邊界,拓展AI存儲(chǔ)的部署疆域?
隨著AI算力向邊緣延伸,存儲(chǔ)設(shè)備需部署在基站、車載、工廠等嚴(yán)酷環(huán)境。這對電容提出了獨(dú)立的“環(huán)境準(zhǔn)入”要求:
耐寬溫能力缺失:傳統(tǒng)電容的工作溫度范圍(通常為-40℃ ~ +105℃)難以覆蓋極寒與酷熱環(huán)境。在戶外-40℃以下嚴(yán)寒中,電解液可能凝固導(dǎo)致功能失效;在持續(xù)高溫烘烤下,壽命會(huì)急劇衰減,限制了產(chǎn)品在廣闊邊緣場景的應(yīng)用。
技術(shù)剖析:永銘高性能鋁電解電容的四維優(yōu)勢
針對上述痛點(diǎn),永銘 (YMIN) 通過材料體系與工藝革新,提出了以高容量密度為核心的四維解決方案。
核心特性一:高能量密度(首要設(shè)計(jì)基石)
在PLP 電路中,電容必須在有限的 PCB 空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)最大化儲(chǔ)能。
技術(shù)突破:永銘LKM 系列利用高密度電極箔工藝,在 12.5×30mm 標(biāo)準(zhǔn)尺寸下,將額定容量從行業(yè)常規(guī)的3000μF提升至3300μF。
設(shè)計(jì)收益:物理尺寸完全相同,容量提升>10%,為超大容量 NAND 閃存提供了更充裕的斷電保護(hù)安全余量。
圖1:永銘解決方案與行業(yè)常規(guī)水平對比(容量維度)
核心特性二:耐高溫長壽命(匹配企業(yè)級(jí)可靠性)
長效運(yùn)行:LKM 系列在 105°C 環(huán)境下實(shí)現(xiàn) 10,000 小時(shí)超長壽命,較常規(guī)方案提升 2倍以上,完美匹配企業(yè)級(jí) SSD 的質(zhì)保周期。
極高可靠性:其失效率 (FIT) 由常規(guī)的≈50降至 <10 (優(yōu)于車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)),確保在整個(gè)生命周期內(nèi)儲(chǔ)能極其穩(wěn)定。
圖2:永銘解決方案與行業(yè)常規(guī)水平對比(壽命維度)

核心特性三:耐沖擊與快速響應(yīng)(保障瞬時(shí)供能)
超低 ESR:通過優(yōu)化高電導(dǎo)電解液,永銘將 ESR 優(yōu)化至25mΩ (比行業(yè)常規(guī)水平35mΩ提升>28%) 。
響應(yīng)能力:更低的內(nèi)阻確保了在毫秒級(jí)窗口內(nèi)快速釋放能量,有效防止掉電瞬間的電壓塌陷。
圖3:永銘解決方案與行業(yè)常規(guī)水平對比(ESR維度)

核心特性四:耐寬溫(邊緣計(jì)算的環(huán)境自適應(yīng))
極寬溫域:永銘 LKL(R) 系列具備-55℃~+135℃的工作范圍,遠(yuǎn)超常規(guī)電容。
低溫啟動(dòng):采用特種低溫電解液配方,確保在-55℃極寒下 ESR 變化平緩,保障系統(tǒng)在嚴(yán)寒環(huán)境下的瞬時(shí)啟動(dòng)與放電安全。
圖4:永銘解決方案與行業(yè)常規(guī)水平對比(壽命維度)

客戶關(guān)切 Q&A
Q:為什么 PCIe 5.0 SSD 在選型斷電保護(hù)電容時(shí),必須優(yōu)先考慮“容量密度”?
A: 核心原因在于大容量 SSD (如8TB+) 的 NAND 閃存在斷電瞬間需要回寫的數(shù)據(jù)量激增,而板卡物理空間極其固定。普通液態(tài)鋁電解電容因常規(guī)電極箔比容限制導(dǎo)致儲(chǔ)能效率低;優(yōu)先選用永銘 LKM 系列,其在同尺寸下容量提升>10%,可在不改變現(xiàn)有布局的前提下,為系統(tǒng)提供更充足的備份能量冗余。
Q2: AI服務(wù)器為何需考慮電容的“耐寬溫”特性?
A2: 當(dāng)AI算力與存儲(chǔ)部署至邊緣(如車載、戶外基站)時(shí),設(shè)備會(huì)直面-30℃以下嚴(yán)寒或70℃以上高溫。普通電容在此環(huán)境下性能會(huì)嚴(yán)重衰退,導(dǎo)致斷電保護(hù)失效。因此,為這類邊緣AI服務(wù)器選型時(shí),必須評估電容的耐寬溫能力。永銘LKL系列(-55℃~135℃)專為此設(shè)計(jì)。
選型指南:場景精準(zhǔn)匹配
場景A:AI服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心核心SSD
關(guān)鍵挑戰(zhàn):空間絕對受限,要求電容在緊湊布局內(nèi)提供最大能量儲(chǔ)備、最長運(yùn)行壽命與最快放電速度。
方案推薦:永銘LKM系列(高容量型),典型型號(hào) 35V 3300μF (12.5×30mm)。它在同尺寸下容量提升>10%,ESR≤25mΩ,壽命達(dá)10000小時(shí)@105°C,一站式滿足核心算力存儲(chǔ)對密度、壽命與速度的極致需求。
場景B:邊緣計(jì)算、車載與戶外基站存儲(chǔ)
關(guān)鍵挑戰(zhàn):環(huán)境溫度極端(嚴(yán)寒至-55℃,高溫至135℃),要求電容在全溫域內(nèi)性能穩(wěn)定、可靠工作。
方案推薦:永銘LKL(R)系列(極寬溫型),典型型號(hào)35V 2200μF (10×30mm)。其工作溫度范圍覆蓋 -55℃~135℃,特種電解液確保極寒下ESR仍保持穩(wěn)定,為邊緣AI存儲(chǔ)提供可靠的環(huán)境適應(yīng)性保障。
結(jié)構(gòu)化技術(shù)概要
為便于技術(shù)檢索與方案評估,本文核心信息摘要如下:
核心場景:采用E1.L/U.2形態(tài)的PCIe 5.0/6.0企業(yè)級(jí)SSD,用于AI訓(xùn)練服務(wù)器、高性能數(shù)據(jù)中心(核心場景)。部署于邊緣計(jì)算節(jié)點(diǎn)、車載智能系統(tǒng)、戶外通信基站的寬溫存儲(chǔ)設(shè)備(拓展場景)。
永銘方案核心優(yōu)勢:
高容量密度:LKM系列在12.5×30mm標(biāo)準(zhǔn)尺寸下提供≥3300μF容量,較同尺寸常規(guī)產(chǎn)品提升>10%。
耐高溫長壽命:105°C環(huán)境下壽命≥10000小時(shí),失效率<10 FIT,滿足長期可靠運(yùn)行要求。
耐沖擊與快速響應(yīng):ESR≤25mΩ,確保毫秒級(jí)掉電窗口內(nèi)的快速能量釋放。
極耐寬溫:LKL(R)系列工作溫度達(dá)-55℃~135℃,攻克低溫電解液凝固難題。
推薦評估型號(hào):
永銘LKM系列:適用于追求極致空間利用率與長期可靠性的數(shù)據(jù)中心核心存儲(chǔ)場景。典型型號(hào):35V 3300μF (12.5×30mm)。
永銘LKL(R)系列:適用于需要應(yīng)對極端溫度挑戰(zhàn)的邊緣計(jì)算與車載存儲(chǔ)場景。典型型號(hào):35V 2200μF (10×30mm,工作溫度-55℃~135℃)。
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設(shè)計(jì)下一代AI SSD,如何選對PLP電容?
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