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新品 | QDPAK TSC頂部散熱封裝工業(yè)和汽車級CoolSiC? MOSFET G1 8-140mΩ 750V

英飛凌工業(yè)半導體 ? 2025-01-17 17:03 ? 次閱讀
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新品

QDPAK TSC頂部散熱封裝

工業(yè)和汽車級CoolSiC MOSFET

G18-140mΩ 750V

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新推出的CoolSiC MOSFET 750V G1是一個高度可靠的SiC MOSFET系列,具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性。CoolSiC MOSFET 750V充分利用了英飛凌20多年的SiC經(jīng)驗。它在性能、可靠性和魯棒性方面都具有優(yōu)勢,并具有柵極驅(qū)動靈活性,從而簡化了系統(tǒng)設計并提高了成本效益,實現(xiàn)了最高的效率和功率密度。

創(chuàng)新的頂部散熱封裝進一步增強了CoolSiC 750V的性能,可實現(xiàn)更高的功率密度、優(yōu)化的功率回路設計以及更低的系統(tǒng)和裝配成本。

產(chǎn)品型號:

■IMDQ75R008M1H

■ IMDQ75R016M1H

■ IMDQ75R040M1H

■ IMDQ75R140M1H

AIMDQ75R008M1H

■ AIMDQ75R016M1H

■ AIMDQ75R040M1H

■ AIMDQ75R140M1H

■ AIMBG75R016M1H

■ AIMBG75R040M1H

■ AIMBG75R140M1H

產(chǎn)品特點

高度可靠的750V技術

同類最佳RDS(on)x Qfr

優(yōu)秀的Ronx Qoss和Ronx QG

低Crss/ Ciss和高Vgsth

100%通過雪崩測試

英飛凌芯片貼裝技術

最先進的頂部散熱封裝

應用價值

出色的硬開關效率

更高的開關頻率

更高的可靠性

可承受超過500V的直流母線電壓

抵御寄生導通能力

單電源驅(qū)動

一流的散熱性能

競爭優(yōu)勢

CoolSiC MOSFET 750V是最均衡的技術,集易用性、開關效率和卓越的散熱性能于一身

更強的魯棒性,可承受超過500V的母線電壓

同類最佳FoM

獨特的擴散焊接技術

超低RON

TSC-頂部散熱

應用領域

工業(yè)

固態(tài)繼電器(SSR)

固態(tài)斷路器(SSCB)

電動汽車充電

光伏逆變器

儲能系統(tǒng)

汽車

電動汽車車載電池充電器

用于電動汽車的高壓直流-直流轉(zhuǎn)換器

高壓電子壓縮機

高壓PTC加熱器模塊

斷路器(高壓電池隔離開關、直流和交流低頻開關、高壓電子熔斷

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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