chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新品 | QDPAK TSC頂部散熱封裝工業(yè)和汽車級(jí)CoolSiC? MOSFET G1 8-140mΩ 750V

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2025-01-17 17:03 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新品

QDPAK TSC頂部散熱封裝

工業(yè)和汽車級(jí)CoolSiC MOSFET

G18-140mΩ 750V

e93bbd6e-d4b1-11ef-9434-92fbcf53809c.jpg

新推出的CoolSiC MOSFET 750V G1是一個(gè)高度可靠的SiC MOSFET系列,具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性。CoolSiC MOSFET 750V充分利用了英飛凌20多年的SiC經(jīng)驗(yàn)。它在性能、可靠性和魯棒性方面都具有優(yōu)勢,并具有柵極驅(qū)動(dòng)靈活性,從而簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并提高了成本效益,實(shí)現(xiàn)了最高的效率和功率密度。

創(chuàng)新的頂部散熱封裝進(jìn)一步增強(qiáng)了CoolSiC 750V的性能,可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、優(yōu)化的功率回路設(shè)計(jì)以及更低的系統(tǒng)和裝配成本。

產(chǎn)品型號(hào):

■IMDQ75R008M1H

■ IMDQ75R016M1H

■ IMDQ75R040M1H

■ IMDQ75R140M1H

AIMDQ75R008M1H

■ AIMDQ75R016M1H

■ AIMDQ75R040M1H

■ AIMDQ75R140M1H

■ AIMBG75R016M1H

■ AIMBG75R040M1H

■ AIMBG75R140M1H

產(chǎn)品特點(diǎn)

高度可靠的750V技術(shù)

同類最佳RDS(on)x Qfr

優(yōu)秀的Ronx Qoss和Ronx QG

低Crss/ Ciss和高Vgsth

100%通過雪崩測試

英飛凌芯片貼裝技術(shù)

最先進(jìn)的頂部散熱封裝

應(yīng)用價(jià)值

出色的硬開關(guān)效率

更高的開關(guān)頻率

更高的可靠性

可承受超過500V的直流母線電壓

抵御寄生導(dǎo)通能力

單電源驅(qū)動(dòng)

一流的散熱性能

競爭優(yōu)勢

CoolSiC MOSFET 750V是最均衡的技術(shù),集易用性、開關(guān)效率和卓越的散熱性能于一身

更強(qiáng)的魯棒性,可承受超過500V的母線電壓

同類最佳FoM

獨(dú)特的擴(kuò)散焊接技術(shù)

超低RON

TSC-頂部散熱

應(yīng)用領(lǐng)域

工業(yè)

固態(tài)繼電器(SSR)

固態(tài)斷路器(SSCB)

電動(dòng)汽車充電

光伏逆變器

儲(chǔ)能系統(tǒng)

汽車

電動(dòng)汽車車載電池充電器

用于電動(dòng)汽車的高壓直流-直流轉(zhuǎn)換器

高壓電子壓縮機(jī)

高壓PTC加熱器模塊

斷路器(高壓電池隔離開關(guān)、直流和交流低頻開關(guān)、高壓電子熔斷

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    9360

    瀏覽量

    229307
  • 工業(yè)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    2279

    瀏覽量

    48874
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3471

    瀏覽量

    67993
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    TSC封裝:功率器件冰涼體驗(yàn)

    ,Wolfspeed 面向汽車工業(yè)市場發(fā)布商業(yè)化量產(chǎn)的頂部散熱U2封裝器件,來擴(kuò)展系統(tǒng)設(shè)計(jì)選項(xiàng)。U2
    的頭像 發(fā)表于 10-13 05:17 ?6067次閱讀

    新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET 1200V Q-DPAK封裝分立器件產(chǎn)品擴(kuò)展

    新品第二代CoolSiCMOSFET1200VQ-DPAK封裝分立器件產(chǎn)品擴(kuò)展CoolSiC1200VMOSFET(頂部散熱Q-DPAK單管
    的頭像 發(fā)表于 08-11 17:04 ?985次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 第二代<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b> 1200<b class='flag-5'>V</b> Q-DPAK<b class='flag-5'>封裝</b>分立器件產(chǎn)品擴(kuò)展

    英飛凌推出采用Q-DPAK 封裝CoolSiC? MOSFET 1200V G2,將工業(yè)應(yīng)用功率密度提升至新高度

    【2025年81日,德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)近日推出了采用頂部散熱
    的頭像 發(fā)表于 08-01 17:05 ?1397次閱讀
    英飛凌推出采用Q-DPAK <b class='flag-5'>封裝</b>的<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b> 1200<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>G</b>2,將<b class='flag-5'>工業(yè)</b>應(yīng)用功率密度提升至新高度

    新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 750V - 工業(yè)級(jí)與車規(guī)級(jí)碳化硅功率器件

    新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工業(yè)級(jí)與車規(guī)級(jí)碳化硅功率器件第二代750VCo
    的頭像 發(fā)表于 07-28 17:06 ?746次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 第二代<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>G</b>2 <b class='flag-5'>750V</b> - <b class='flag-5'>工業(yè)</b><b class='flag-5'>級(jí)</b>與車規(guī)<b class='flag-5'>級(jí)</b>碳化硅功率器件

    Wolfspeed推出新型頂部散熱TSC)碳化硅MOSFET和肖特基二極管,優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗

    器件產(chǎn)品線,新增采用頂部散熱TSC封裝的 U2 系列產(chǎn)品。該系列提供 650 V 至 1200 V
    的頭像 發(fā)表于 07-09 10:50 ?1226次閱讀
    Wolfspeed推出新型<b class='flag-5'>頂部</b><b class='flag-5'>散熱</b>(<b class='flag-5'>TSC</b>)碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>和肖特基二極管,優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗

    新品 | 采用ThinTOLL 8x8封裝CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ,33mΩ產(chǎn)品

    新品采用ThinTOLL8x8封裝CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ,33m
    的頭像 發(fā)表于 07-08 17:08 ?895次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用ThinTOLL <b class='flag-5'>8x8</b><b class='flag-5'>封裝</b>的<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? 650<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>G</b>2 SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>新增26<b class='flag-5'>m</b>Ω,33<b class='flag-5'>m</b>Ω產(chǎn)品

    Wolfspeed推SiC MOSFET/SBD新品頂部散熱封裝

    碳化硅MOSFET和肖特基二極管產(chǎn)品,通過頂部散熱TSC封裝,可以顯著提升系統(tǒng)功率密度和效率,同時(shí)優(yōu)化熱管理性能并增強(qiáng)電路板布局靈活性。
    的頭像 發(fā)表于 07-08 00:55 ?3304次閱讀
    Wolfspeed推SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>/SBD<b class='flag-5'>新品</b>:<b class='flag-5'>頂部</b><b class='flag-5'>散熱</b><b class='flag-5'>封裝</b>

    英飛凌推出具有超低導(dǎo)通電阻的CoolSiC? MOSFET 750 V G2,適用于汽車工業(yè)功率電子應(yīng)用

    ? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET
    發(fā)表于 07-02 15:00 ?1547次閱讀
    英飛凌推出具有超低導(dǎo)通電阻的<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>750</b> <b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>G</b>2,適用于<b class='flag-5'>汽車</b>和<b class='flag-5'>工業(yè)</b>功率電子應(yīng)用

    英飛凌新一代750V SiC MOSFET產(chǎn)品亮點(diǎn)

    英飛凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有業(yè)界領(lǐng)先的抗寄生導(dǎo)通能力和成熟的柵極氧化層技術(shù),可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬開關(guān)拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)卓越性能。
    的頭像 發(fā)表于 06-20 14:44 ?867次閱讀

    新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET

    新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部
    的頭像 發(fā)表于 05-29 17:04 ?967次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用<b class='flag-5'>頂部</b><b class='flag-5'>散熱</b> Q-DPAK<b class='flag-5'>封裝</b>的 <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? 1200<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>G</b>2 SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    新品 | 采用頂部散熱QDPAKCoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品

    新品采用頂部散熱QDPAKCoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品英飛凌采用頂部
    的頭像 發(fā)表于 05-27 17:03 ?1134次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用<b class='flag-5'>頂部</b><b class='flag-5'>散熱</b><b class='flag-5'>QDPAK</b>的<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? 1200<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>G</b>2 SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>半橋產(chǎn)品

    新品 | CoolSiC?肖特基二極管G5 10-80A 2000V,TO-247-2封裝

    新品CoolSiC肖特基二極管G510-80A2000V,TO-247-2封裝CoolSiC肖特基二極管10-80A2000VG5系列現(xiàn)在也
    的頭像 發(fā)表于 03-25 17:04 ?892次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>CoolSiC</b>?肖特基二極管<b class='flag-5'>G</b>5 10-80A 2000<b class='flag-5'>V</b>,TO-247-2<b class='flag-5'>封裝</b>

    英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2

    650 V G2 Q-DPAK TSC 這兩個(gè)產(chǎn)品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC Generation 2(
    的頭像 發(fā)表于 02-21 16:38 ?704次閱讀
    英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL<b class='flag-5'>封裝</b>的全新<b class='flag-5'>工業(yè)</b><b class='flag-5'>CoolSiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 650 <b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>G</b>2

    新品 | 用于交直流固態(tài)斷路器評(píng)估的高效套件(CoolSiC?版本)

    110VAC、230VAC或350VDC工作電壓和16A額定電流,自然冷卻,采用頂部散熱(TSC)MOSFET封裝上的非隔離式
    的頭像 發(fā)表于 01-14 17:35 ?879次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 用于交直流固態(tài)斷路器評(píng)估的高效套件(<b class='flag-5'>CoolSiC</b>?版本)

    新品 | 750V 8mΩ CoolSiC? MOSFET

    750V8mΩCoolSiCMOSFET采用TO-247-4封裝的新型CoolSiCMOSFET750VG1是高度堅(jiān)固的SiCMOSFET,具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性
    的頭像 發(fā)表于 12-20 17:04 ?950次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>750V</b> <b class='flag-5'>8m</b>Ω <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b>