動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-12-24 11:32

  帶你一文了解什么是引線鍵合（WireBonding）技術(shù)？

  

  微電子封裝中的引線鍵合技術(shù)引線鍵合技術(shù)在微電子封裝領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色，它通過金屬線將半導(dǎo)體芯片與外部電路相連，實(shí)現(xiàn)電氣互連和信息傳遞。在理想條件下，金屬引線與基板之間的連接可以達(dá)到原子級別的鍵合，這種鍵合是通過電子共享或原子擴(kuò)散實(shí)現(xiàn)的。引線鍵合與封裝技術(shù)在集成電路（IC）封裝中，引線鍵合是實(shí)現(xiàn)芯片與引線框架（基板）連接的關(guān)鍵技術(shù)。盡管倒裝焊和載帶自動焊

  半導(dǎo)體芯片 引線鍵合 微電子封裝

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• 發(fā)布了文章 2024-12-24 11:30

  探索掃描電子顯微鏡下的能譜分析技術(shù)（EDX）

  

  掃描電子顯微鏡（SEM）以其在納米級別解析樣品的能力而聞名，它通過電子束與樣品的交互來收集信息。除了常見的背散射電子（BSE）和二次電子（SE）信號外，SEM還能檢測到其他多種信號，這些信號為研究者提供了樣品的深層信息。本文將深入探討SEM中的能譜（EDX）技術(shù)，揭示其工作原理。電子束與樣品的相互作用在SEM的運(yùn)作過程中，電子束與樣品表面的交互作用產(chǎn)生了一系

  SEM 顯微鏡 電子束

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• 發(fā)布了文章 2024-12-24 11:29

  EBSD失效分析策略

  

  材料失效分析在材料科學(xué)和工程實(shí)踐中，失效分析扮演著至關(guān)重要的角色，它致力于探究產(chǎn)品或構(gòu)件在實(shí)際使用過程中出現(xiàn)的失效現(xiàn)象。這些現(xiàn)象可能表現(xiàn)為由多種因素引起的斷裂，例如疲勞、應(yīng)力腐蝕或環(huán)境誘導(dǎo)的脆性斷裂等。深入探究這些失效的原因，能夠幫助工程師和科學(xué)家有效控制風(fēng)險(xiǎn)，并預(yù)防未來的失效事件。金鑒實(shí)驗(yàn)室具備專業(yè)的測試設(shè)備，能夠?yàn)榭蛻籼峁┎牧鲜Х治?，以?yīng)對半導(dǎo)體行業(yè)帶

  失效分析 材料 測試設(shè)備

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• 發(fā)布了文章 2024-12-24 11:27

  離子污染度的測試方法

  

  離子污染對電子設(shè)備的影響電子技術(shù)迅猛發(fā)展的今天，電子設(shè)備的復(fù)雜性和集成度不斷攀升，電路板上的元件布局日益緊湊，線路間距縮小，這使得對電路板（PCB/PCBA）的清潔度要求變得更加嚴(yán)格。離子污染，作為影響電路板清潔度的關(guān)鍵因素，其控制和管理變得尤為關(guān)鍵。離子污染可能會引起離子遷移異常，進(jìn)而導(dǎo)致產(chǎn)品失效，如腐蝕、短路等，據(jù)研究，因污染問題導(dǎo)致的電子產(chǎn)品失效率超過

  測試 電路板

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• 發(fā)布了文章 2024-12-23 17:30

  FIB：芯片制造中的關(guān)鍵檢測工具

  

  聚焦離子束技術(shù)（FIB）在技術(shù)日新月異的當(dāng)代，半導(dǎo)體技術(shù)已成為推動科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級的引擎。半導(dǎo)體器件在我們的日常生活中扮演著不可或缺的角色，無論是在通訊設(shè)備、交通工具還是醫(yī)療儀器中，它們都發(fā)揮著核心作用。隨著這些器件尺寸的日益微型化，對它們的精確診斷和修復(fù)技術(shù)提出了前所未有的挑戰(zhàn)。聚焦離子束技術(shù)（FIB）正是在這樣的需求下應(yīng)運(yùn)而生，成為解決這些難題的關(guān)鍵技

  fib 檢測 芯片制造

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• 發(fā)布了文章 2024-12-23 17:29

  AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)下的分立半導(dǎo)體器件認(rèn)證

  

  AEC組織概述AEC（AutomotiveElectronicsCouncil）是由美國三大汽車制造商克萊斯勒、福特和通用汽車共同發(fā)起成立的組織，成立于1994年。該組織的目標(biāo)是建立一套全球性的汽車電子部件標(biāo)準(zhǔn)，其成員包括全球的汽車制造商、電子模塊生產(chǎn)商和元器件供應(yīng)商。AECQ101標(biāo)準(zhǔn)簡述AECQ101標(biāo)準(zhǔn)是一套針對汽車用離散半導(dǎo)體元件的可靠性測試和認(rèn)證標(biāo)

  AEC 半導(dǎo)體 認(rèn)證

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• 發(fā)布了文章 2024-12-23 17:28

  微焊點(diǎn)金屬間化合物分析：EDS與EBSD技術(shù)應(yīng)用

  

  隨著半導(dǎo)體行業(yè)的迅猛發(fā)展，集成電路的設(shè)計(jì)和制造技術(shù)經(jīng)歷了從簡單的平面二維布局到復(fù)雜的三維堆疊結(jié)構(gòu)的重大轉(zhuǎn)變。這種轉(zhuǎn)變極大地增強(qiáng)了芯片的性能，并提高了其功能集成度。三維集成電路的實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵在于硅通孔技術(shù)（TSV），該技術(shù)允許不同層級的芯片實(shí)現(xiàn)垂直連接，從而創(chuàng)造出更為精密的芯片架構(gòu)。隨著焊點(diǎn)尺寸的持續(xù)減小，對焊料的選擇和焊接工藝提出了更高的要求，這為半導(dǎo)體行業(yè)帶來

  EDS 半導(dǎo)體 探測器

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• 發(fā)布了文章 2024-12-23 17:27

  什么是濕熱試驗(yàn)？

  

  濕熱試驗(yàn)中的物理現(xiàn)象在進(jìn)行濕熱試驗(yàn)時(shí)，樣品會因?yàn)闇囟群蜐穸鹊慕换ビ绊懚馐艹睗袂趾?。這種潮濕侵害表現(xiàn)為多種物理現(xiàn)象，包括物質(zhì)的吸附作用、液滴的形成（凝露）、物質(zhì)的擴(kuò)散過程、液體的吸收（也稱為流通）以及材料的呼吸作用等。濕熱試驗(yàn)與現(xiàn)實(shí)環(huán)境的關(guān)聯(lián)濕熱試驗(yàn)的溫濕度條件通常模擬的是實(shí)際環(huán)境中較為罕見的條件，且作用時(shí)間比實(shí)際環(huán)境中要長得多。因此，從模擬性角度來看，濕熱

  材料 測試 濕熱 濕熱試驗(yàn)箱

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• 發(fā)布了文章 2024-12-20 12:56

  板彎曲試驗(yàn)在AEC-Q102的重要性

  

  伴隨汽車電子技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)，光電子元器件在車輛內(nèi)的應(yīng)用愈發(fā)廣泛，其可靠性要求亦不斷提升。AEC-Q102認(rèn)證乃是針對光電子元器件的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)，其中板彎曲試驗(yàn)（BoardFlexTest）作為關(guān)鍵測試項(xiàng)目之一，顯得尤為重要。AEC-Q102認(rèn)證的背景與意義1.什么是AEC-Q102認(rèn)證？AEC-Q102系汽車電子委員會（AEC）針對光電子元器件（諸如光電耦合、L

  led 汽車電子 電子元器件

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• 發(fā)布了文章 2024-12-20 12:55

  一文帶你了解FIB技術(shù)

  

  FIB技術(shù)定義聚焦離子束（FocusedIonBeam,FIB）技術(shù)是一種先進(jìn)的微納加工技術(shù)，它利用高度聚焦的離子束對材料進(jìn)行精確的加工、分析和成像。FIB技術(shù)能夠在納米尺度上實(shí)現(xiàn)材料的去除、沉積以及成像，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、微電子、納米技術(shù)等領(lǐng)域。FIB系統(tǒng)的基本構(gòu)成離子源：負(fù)責(zé)產(chǎn)生離子流，通常使用液態(tài)金屬離子源，如液態(tài)鎵。加速和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)：加速離子并控制離

  fib 材料 離子束

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