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• 發(fā)布了文章 2026-01-08 15:38

  選型手冊(cè)：AGM6015C N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  AGMSEMI推出的AGM6015C是一款面向60V低壓超大功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220封裝，適配負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池保護(hù)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET（溝槽工藝）核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（VDSS?）：60V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（RDS(ON)?）：1.5mΩ（VGS?=10V），低壓場(chǎng)景下傳導(dǎo)

  AGM MOS 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2026-01-08 15:34

  選型手冊(cè)：AGM40P150C P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  AGMSEMI推出的AGM40P150C是一款面向40V低壓超大功率場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220封裝，適配負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池保護(hù)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET（溝槽工藝）核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（VDSS?）：-40V（P溝道，電壓為負(fù)），適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（RDS(ON)?）：3.0mΩ（VGS?

  AGM MOS 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2026-01-08 15:23

  選型手冊(cè)：AGMH6018C N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  AGMSEMI推出的AGMH6018C是一款面向60V低壓大功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220封裝，適配負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池保護(hù)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET（溝槽工藝）核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（VDSS?）：60V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（RDS(ON)?）：1.5mΩ（VGS?=10V），低壓場(chǎng)景下傳導(dǎo)

  AGM MOS 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2026-01-08 15:20

  選型手冊(cè)：AGM65N20AT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  AGMSEMI推出的AGM65N20AT是一款面向200V高壓中功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-247封裝，適配高壓電源管理、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET（溝槽工藝）核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（VDSS?）：200V，適配高壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（RDS(ON)?）：17mΩ（VGS?=10V），高壓場(chǎng)

  AGM MOS 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2026-01-08 15:16

  選型手冊(cè)：AGM012N10LL N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  AGMSEMI推出的AGM012N10LL是一款面向100V中壓超大功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TOLX-8L封裝，適配高壓超大電流電源管理、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET（溝槽工藝）核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（VDSS?）：100V，適配中壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（RDS(ON)?）：1.0mΩ（VGS?=

  AGM MOS 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2026-01-06 11:28

  選型手冊(cè)：VSP011N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSP011N10MS-G是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中壓大功率電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（VDSS?）：100V，適配中壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（RDS(on)?）：VGS?=10V時(shí)8.5mΩ、VGS

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2026-01-06 11:24

  選型手冊(cè)：HCKD5N65BM2 高速 IGBT 分立器件

  

  威兆半導(dǎo)體推出的HCKD5N65BM2是一款650V高壓高速I(mǎi)GBT（搭配反并聯(lián)二極管），采用TO-252封裝，適配電機(jī)驅(qū)動(dòng)、風(fēng)扇驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：TrenchFS-Trench2高速I(mǎi)GBT（含反并聯(lián)二極管）核心參數(shù)：集電極-發(fā)射極擊穿電壓（VCES?）：650V，適配高壓供電場(chǎng)景；直流集電極電流（Ic?）：Tc?=25°C時(shí)10A、T

  MOS 分立器件 威兆半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2026-01-06 11:20

  選型手冊(cè)：VS1606GS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS1606GS是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配中壓小型電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（VDSS?）：100V，適配中壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（RDS(on)?）：VGS?=10V時(shí)10.0mΩ、VGS?=4.5V時(shí)14.5m

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2026-01-06 11:17

  選型手冊(cè)：VS3620GPMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3620GPMC是一款面向30V低壓超大功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（VDSS?）：30V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（RDS(on)?）：VGS?=10V時(shí)5.0mΩ、VGS

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2026-01-04 16:31

  選型手冊(cè)：VS1605ATM N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS1605ATM是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配中壓大功率電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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