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• 發(fā)布了文章 2025-12-18 17:37

  選型手冊(cè)：VS2301BC P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS2301BC是一款面向-20V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOT23小封裝，適配小型化低壓電源的負(fù)載開關(guān)、電源通路控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-20V（P溝道耐壓為負(fù)值，適配20V低壓場(chǎng)景）；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-18 17:33

  選型手冊(cè)：VS3603GPMT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3603GPMT是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-18 17:24

  選型手冊(cè)：VS3522AA4 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3522AA4是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用DFN22x6.5-8L封裝，適配低壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-17 18:24

  選型手冊(cè)：VS40200AD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS40200AD是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-17 18:20

  選型手冊(cè)：VS4603GPMT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS4603GPMT是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{G

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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  選型手冊(cè)：VS40200ATD 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS40200ATD是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-263封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配雙路低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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  選型手冊(cè)：VSD007N06MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSD007N06MS-G是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配低壓大電流電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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  選型手冊(cè)：VS6614GS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS6614GS是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配60V低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-16 17:36

  選型手冊(cè)：VS3698AD-K 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3698AD-K是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-252封裝，適配低壓大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配雙路低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-16 11:50

  選型手冊(cè)：VS3510AD P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AD是一款面向30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-252封裝，適配低壓電源的高側(cè)開關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V（P溝道耐壓為負(fù)值，適配30V低壓場(chǎng)景）；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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