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• 發(fā)布了文章 2025-11-21 10:38

  選型手冊：MOT2176D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT2176D是一款面向20V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性，適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：20V，適配低壓大電流供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-21 10:31

  選型手冊：MOT3712G P 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT3712G是一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借-30V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力，適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：-30V，適配低壓負(fù)電壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

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• 發(fā)布了文章 2025-11-21 10:24

  選型手冊：MOT6929G N+N 增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT6929G是一款N+N增強(qiáng)型MOSFET，集成兩顆N溝道單元，憑借60V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力，適用于電動工具電機(jī)驅(qū)動、電動汽車機(jī)器人等大功率開關(guān)場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N+N增強(qiáng)型MOSFET（集成兩顆N溝道單元）核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配中低壓大電流供電場景；導(dǎo)通電阻（\(

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• 發(fā)布了文章 2025-11-20 16:22

  選型手冊：MOT50N03C N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷及快速開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓大電流供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS

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• 發(fā)布了文章 2025-11-20 16:15

  選型手冊：MOT6568J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT6568J是一款面向60V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性，適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\

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• 發(fā)布了文章 2025-11-20 16:06

  選型手冊：MOT6515J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT6515J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性，適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓大電流供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)

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  選型手冊：MOT3180G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT3180G是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及無鉛封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)與同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓大電流供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(o

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  選型手冊：MOT3510G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT3510G是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及高效散熱封裝，適用于SMPS（開關(guān)模式電源）、通用用途電路、硬開關(guān)與高頻電路、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓大電流供電場

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• 發(fā)布了文章 2025-11-19 15:25

  選型手冊：MOT4523D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT4523D是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借先進(jìn)溝槽技術(shù)、低導(dǎo)通電阻及低柵極電荷特性，適用于負(fù)載開關(guān)、PWM應(yīng)用、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(

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• 發(fā)布了文章 2025-11-19 15:21

  選型手冊：MOT8113T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT8113T是一款面向80V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借1.1mΩ超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無人機(jī)等大功率場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\

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