動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-11-17 11:27

  選型手冊：MOT4529J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT4529J是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通電阻、無鉛環(huán)保封裝特性，適用于DC/DC轉換器等低壓功率轉換場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

  MOS 仁懋電子 晶體管

  147瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-11-14 16:12

  選型手冊：MOT3650J N+P 增強型 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT3650J是一款N+P增強型MOSFET，集成N溝道與P溝道單元，憑借超低導通電阻、低柵極電荷特性，適用于計算設備電源管理、負載開關、快速無線充電、電機驅動等場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N+P增強型MOSFET（同時集成N溝道與P溝道單元）核心參數(shù)：N溝道：漏源耐壓（\(BV_{DSS}\)）：30V；導通電阻（\(R_{D

  MOS 仁懋電子 晶體管

  463瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-11-14 16:04

  選型手冊：MOT2718J P - 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT2718J是一款P-溝道增強型功率MOSFET，憑借-20V耐壓、低導通電阻及高效功率處理能力，適用于PWM應用、負載開關、電源管理等場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P-溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：-20V，適配低壓負電源供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{

  MOS 仁懋電子 晶體管

  270瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-11-14 15:51

  選型手冊：MOT2514J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT2514J是一款面向20V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借高密度單元設計實現(xiàn)的超低導通電阻，適用于DC/DC轉換器、筆記本核心電源等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：20V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{

  MOS 仁懋電子 晶體管

  163瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-11-14 12:03

  選型手冊：MOT5130T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT5130T是一款面向120V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借2.8mΩ超低導通電阻、211A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無人機等大功率場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\

  MOS 仁懋電子 晶體管

  123瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-11-13 09:35

  選型手冊：MBR30200W 肖特基勢壘整流二極管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MBR30200W是一款30A規(guī)格的肖特基勢壘整流二極管，憑借200V耐壓、低正向壓降及高頻整流特性，適用于開關電源、逆變器、電池充電器等高頻整流場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：肖特基勢壘整流二極管核心參數(shù)：峰值反向耐壓（\(V_{RRM}\)）：200V（典型值），最小測試值210V；平均整流輸出電流（\(I_o\)）：30A（總電

  MOS 仁懋電子 整流二極管

  205瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-11-13 09:30

  選型手冊：MBR40100W 肖特基勢壘整流二極管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MBR40100W是一款40A規(guī)格的肖特基勢壘整流二極管，憑借100V耐壓、低正向壓降及高頻整流特性，適用于開關電源、逆變器、電池充電器等高頻整流場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：肖特基勢壘整流二極管核心參數(shù)：峰值反向耐壓（\(V_{RRM}\)）：100V（典型值），最小測試值108V；平均整流輸出電流（\(I_o\)）：40A（總電

  MOS 仁懋電子 整流二極管

  169瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-11-12 14:19

  選型手冊：MOT12N65F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT12N65F是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導通電阻（\(R

  MOS 仁懋電子 晶體管

  213瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-11-12 14:15

  選型手冊：MOT10N70F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT10N70F是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導通電阻（\(R_{DS(

  MOS 仁懋電子 晶體管

  195瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-11-12 14:10

  選型手冊：MOT4511AF N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT4511AF是一款面向450V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：450V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導通電阻（\(R_{D

  MOS 仁懋電子 晶體管

  160瀏覽量