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選型手冊：VS3510AE P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-08 11:16
威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AE是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，適配低壓負(fù)電源切換、電源路徑管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V，適配低壓負(fù)電源場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)時(shí)典型值10mΩ，\( -
選型手冊：VS3618AS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-08 11:10
威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AS是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配小型化低壓電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}= -
選型手冊：VS6604GP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-08 10:59
威兆半導(dǎo)體推出的VS6604GP是一款面向60V中低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配中低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\( -
選型手冊：VS6614DS 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-08 10:43
威兆半導(dǎo)體推出的VS6614DS是一款面向65V中低壓場景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配中低壓雙路電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：65V，適配中低壓雙路供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，單通道）：\( -
選型手冊：VS3622AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-08 10:32
威兆半導(dǎo)體推出的VS3622AE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}= -
選型手冊：VS4401AKH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-05 11:41
威兆半導(dǎo)體推出的VS4401AKH是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TOLL封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_ -
選型手冊：VS1696GTH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-05 11:38
威兆半導(dǎo)體推出的VS1696GTH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，適配中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on) -
選型手冊：VSO009N06MS-GA N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-05 11:16
威兆半導(dǎo)體推出的VSO009N06MS-GA是一款面向65V中低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配中低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：65V，適配中低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\( -
選型手冊：VS3508AP P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-05 09:51
威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AP是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓負(fù)電源切換、電源路徑管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V，適配低壓負(fù)電源場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\) -
選型手冊：VS3508AP-K P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-05 09:38
威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AP-K是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓負(fù)電源切換、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V，適配低壓負(fù)電源場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)